磷化镓靶材（GaP）

产品简介（Introduction）

磷化镓（GaP）是一种典型的 III–V 族宽带隙半导体材料，具有约 2.26 eV 的间接带隙，具备卓越的光学透明性、高热导率、优异的电学稳定性以及良好的化学惰性。GaP 在光电子器件、发光二极管（LED）、太阳能电池、非线性光学与高频电子器件中应用广泛，是重要的功能材料。

磷化镓靶材（GaP Sputtering Target）可通过磁控溅射沉积高均匀性、高纯度 GaP 薄膜，是 III–V 族半导体薄膜研究、光电子制造、透明电子薄膜与先进器件开发中的关键材料。

产品详情（Detailed Description）

GaP 靶材通常采用以下工艺制备：

• 高纯 Ga + 高纯 P 直接合成（Direct Combination）

• 密闭坩埚真空烧结（Vacuum Encapsulated Sintering）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）

• CIP + 高温固相反应（CIP + High-Temperature Reaction）

典型参数：

• 纯度：99.999%（5N）

• 化学计量比：Ga:P = 1:1（可提供偏 Ga 或偏 P 版本）

• 晶体结构：闪锌矿（Zinc Blende）立方结构

• 颜色：深灰或黑色

• 致密度：≥ 97%–99% 理论密度

• 尺寸：直径 25–300 mm 或矩形靶材

• 厚度：3–6 mm（可按要求定制）

• 背板结合（可选）：Cu / Ti / In bonding

材料特点：

• 半导体级高纯度

• 极低氧、碳及金属离子杂质

• 高致密度确保低颗粒率

• 稳定光学性能，适合高光学品质薄膜

• 成分均匀，适配高要求工艺

应用领域（Applications）

● 发光二极管（LED）与显示器件

GaP 是传统 LED 的核心材料之一，尤其用于：

• 绿光 LED

• 黄光 LED

• 红黄光显示器件

• 微型发光组件

其宽带隙与稳定晶体结构使其具有良好发光效率与可靠性。

● 光伏与太阳能电池（Photovoltaics）

GaP 可用于：

• III–V 叠层太阳能电池窗口层

• 表面钝化层

• 载流子选择性接触层

• 半透明光伏结构

其高透明性与良好界面特性有助于提升光电转换效率。

● 透明电子器件（Transparent Electronics）

GaP 薄膜具有较高的可见光透过率，可作为：

• 透明半导体层

• 光波导结构

• 光学耦合组件

• 光子薄膜结构

● 光学与非线性材料（Optical / Nonlinear Optical Films）

GaP 是一种重要光学功能材料，可用于：

• 全光学器件

• 非线性倍频薄膜

• 波导与耦合器

• 高耐热光学窗口

● 高频电子器件（High-Frequency Electronics）

GaP 具备良好的电子迁移率与可调掺杂特性，可用于：

• 高频器件缓冲层

• 功率器件结构

• 高温电子结构

● 材料与界面工程（Research Applications）

GaP 可作为 III–V 半导体研究平台，包括：

• 复合异质结构（GaP/GaN、GaP/GaAs 等）

• 带隙调控与界面控制研究

• 纳米光电结构

• 外延薄膜理论验证

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空封装

• 防静电袋保护

• 多层防震泡棉

• 出口级木箱加固

• 附高纯度检测报告（ICP、XRD、密度）

确保运输过程中的洁净性与结构完整。

结论（Conclusion）

磷化镓靶材（GaP）凭借其宽带隙、强稳定性与优秀光学行为，在 LED、光伏、非线性光学、高频电子及 III–V 半导体研究中占据核心位置。使用高致密度、高纯度的 GaP 靶材可获取均匀、稳定的 GaP 薄膜，是科研机构与半导体制造中的理想选择。

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