氮化铕靶材（EuN）

产品简介（Introduction）

氮化铕（EuN）是一种稀土氮化物材料，具有离子型化学键、优异的热稳定性和独特的磁、电、光学特性。EuN 特别以其可调磁性、宽带隙半导体行为以及与稀土元素相关的强电子关联效应著称，在自旋电子学、磁光薄膜、光电功能材料和新型半导体中具有重要研究价值。

氮化铕靶材（EuN Sputtering Target）广泛用于磁控溅射沉积高纯 EuN 薄膜，是量子材料、磁性薄膜、自旋极化器件和高性能光电结构的重要材料来源。

产品详情（Detailed Description）

典型的 EuN 靶材采用以下方式制备：

• 高纯稀土 + 高纯氮源直接合成（Direct Nitridation）

• 固相反应（Solid-State Reaction）

• 真空烧结（Vacuum Sintering）

• 热压烧结（Hot Pressing）

• CIP + 高温致密化（Cold Isostatic Pressing）

产品参数（典型值）：

• 纯度：99.9%（3N）

• 化学组成：EuN（可提供轻微偏 Eu / 偏 N）

• 颜色：深灰–黑色

• 致密度：≥ 95%–98% 理论密度

• 晶体结构：NaCl 型立方结构（rock-salt structure）

• 尺寸：25–300 mm 圆形靶、矩形靶可定制

• 厚度：3–6 mm

• 背板结合：Cu / Ti / In bonding（可选）

材料特点：

• 高纯低氧

• 机械强度稳定

• 高致密度减少颗粒产生

• 可用于高功率 RF / Pulsed DC 溅射

• 膜层磁性与光学性质高度可控

应用领域（Applications）

● 自旋电子学材料（Spintronics）

EuN 因其可调磁性（包括铁磁性与反铁磁性）成为领先材料之一，用于：

• 自旋过滤器

• 自旋极化注入层

• 自旋阀结构

• 单层或纳米叠层磁性结构

● 磁光应用（Magneto-Optical Films）

适用于：

• 磁光 Kerr 研究

• 磁光调制器件

• 稀土磁性薄膜生态体系

其 4f 电子结构使其磁—光响应突出。

● 半导体与光电子器件（Semiconductors & Optoelectronics）

EuN 是宽带隙氮化物，可应用于：

• 光学窗口层

• 高耐热电子薄膜

• 近红外调控结构

可与 GaN、AlN 等氮化物兼容。

● 量子材料研究（Quantum Materials）

由于稀土 4f 态，EuN 在以下方向具有重要价值：

• 强关联电子系统

• 磁性拓扑材料探索

• 新型量子效应验证

● 保护膜与屏蔽涂层（Protective Coatings）

EuN 的高热稳定性与耐化学性使其适合：

• 真空系统保护膜

• 高温元件薄膜

• 防氧化深色功能涂层

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 铝塑真空封装

• 防静电袋包装

• 多层防震结构

• 出口级加固木箱

• 每片靶材附检测报告（纯度、密度、尺寸、微观结构等）

结论（Conclusion）

氮化铕靶材（EuN）凭借其独特的磁性、光学与半导体属性，是自旋电子学、磁光功能薄膜与量子材料研究的核心材料。使用高纯、高致密度的 EuN 靶材可显著提升膜层性能，是科研机构与先进器件开发的重要选择。

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