锑化锡靶材（SnSb）

产品简介（Introduction）

锑化锡（SnSb）是一种由锡（Sn）与锑（Sb）构成的二元化合物材料，属于典型的 IV–V 族半导体/半金属体系。SnSb 具有良好的热电性能、稳定的电子结构、较高的化学稳定性以及可调的电学特性，是中温热电器件、新型薄膜电子器件、界面工程和材料科学研究中重要的功能材料。

锑化锡靶材（SnSb Sputtering Target）用于磁控溅射沉积 SnSb 功能薄膜，可获得高致密、低缺陷、成分均匀的薄膜结构，符合科研与工业薄膜制备需求。

产品详情（Detailed Description）

SnSb 靶材常采用以下工艺制备：

• Sn 与 Sb 高纯元素密闭合成（Sealed Ampoule Synthesis）

• 固相反应烧结（Solid-State Reaction）

• 真空热压烧结（Vacuum Hot Pressing, HP）

• CIP 等静压成型 + 高温致密化（CIP + High-Temperature Densification）

典型参数：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 化学计量比：Sn:Sb = 1:1（可定制 Sn-rich / Sb-rich）

• 颜色：深灰–黑灰色

• 晶体结构：层状晶体结构（随化学计量有所变化）

• 致密度：≥95–98% TD

• 尺寸：直径 25–300 mm（可制矩形靶）

• 厚度：3–6 mm，可定制

• 背板结合（可选）：Cu、Ti、Mo、Indium bonding

材料优势：

• 粒径均匀、薄膜颗粒率低

• 高纯度适合高端热电与薄膜器件

• 化学稳定性强，不易分解

• 适合 RF / Pulsed DC 溅射

• 适用于 HV / UHV 系统

应用领域（Applications）

● 中温热电材料（Thermoelectric Materials） — 核心应用

SnSb 属于典型的中温热电材料体系，可用于：

• 微型热电发电薄膜

• 温差能量采集（Energy Harvesting）

• 热电制冷器件

• 多层热电结构集成（如 SnTe/SnSb 系统）

适合 200–450°C 的中温工作区间。

● 功能电子薄膜（Functional Thin Films）

SnSb 可用于：

• 可调电阻薄膜

• 功能层/中间层

• 复合异质结构的界面工程

• 电学与热学调控薄膜

其电子结构可通过组成比例调整。

● 半导体与红外材料（Semiconductor & IR Materials）

SnSb 的窄带隙特性使其适用于：

• IR 吸收薄膜

• 光-热转换层

• 红外传感器前置薄膜

● 材料科学与基础研究（R&D Applications）

SnSb 常用于：

• Sn-Sb 系材料的相稳定性研究

• 热电性能优化（ZT 值）

• 掺杂与缺陷调控

• Sn-rich / Sb-rich 体系对比研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 铝塑真空密封

• 防静电袋包装

• 防震泡沫多层保护

• 出口级木箱运输

• 附 ICP / XRD / 密度 / 尺寸检测报告

保证靶材在运输与储存过程中的洁净与稳定性。

结论（Conclusion）

锑化锡靶材（SnSb）凭借其优异的热电性质、可调的电子结构、高纯度和良好的薄膜成膜能力，是热电薄膜、功能电子器件和材料科学研究中的重要材料。使用高致密 SnSb 靶材可显著提升薄膜均匀性与器件性能，是科研与产业应用的理想选择。

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