您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
氧化镓（Ga₂O₃）是一种宽带隙（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）功能氧化物材料，具有超高击穿电场、高热稳定性、良好光透过性以及极低的本征载流子浓度。其溅射靶材广泛应用于高功率器件、光电子器件、透明导电膜、深紫外光电探测器以及先进氧化物薄膜的研究。
随着 Ga₂O₃ 在半导体、电力电子以及透明电子学中的快速发展，对高纯、高致密、成膜稳定的氧化镓靶材需求不断提升。Ga₂O₃ 薄膜通常具备高击穿场强、优异绝缘性以及可调的光电特性，是当前新一代高性能薄膜材料的重要组成部分。
苏州科跃材料科技有限公司采用高纯粉体、先进固相烧结及 CIP/HIP 致密化工艺制备 Ga₂O₃ 靶材，确保其具有高致密度、优异的机械稳定性和稳定的成膜成分。
典型规格：
纯度： 99.99%（4N）可定制 5N
尺寸： Φ25–300 mm 或矩形靶
厚度： 3–6 mm
密度： ≥ 90–95% 理论密度（TD）
制造工艺： CIP 等静压 + 高温烧结
增强可选： HIP 热等静压（提高靶材致密度与抗裂性）
外观： 白色或浅灰高纯陶瓷
背板： Cu / Ti / Mo，可提供 Indium Bonding
宽禁带特性：适合深紫外、功率器件薄膜
高热稳定性：适用于高温、长时间溅射
化学惰性优异：极低的化学反应性
表面光滑、致密度高：提高薄膜均匀性、减少针孔
适配 RF、DC、脉冲溅射
Ga₂O₃ 溅射靶材广泛应用于以下薄膜研究：
深紫外光电探测器（UV Photodetectors）
高功率与高频功率器件（UWBG 电子器件）
透明导电薄膜（TCO）
光学薄膜（Ga₂O₃ 透明层）
绝缘层、缓冲层、阻挡层
场效应晶体管（MOSFET）氧化层薄膜
太阳能电池功能层
半导体衬底外延缓冲薄膜
Ga₂O₃ 是目前备受关注的 UWBG 半导体材料之一，可用于制作比 SiC、GaN 具备更高电压承受能力的器件。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 4N–5N | 提升薄膜光电性能与缺陷控制 |
| 直径 | Φ25–300 mm | 兼容科研设备及工业腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶寿命与成膜速率 |
| 密度 | ≥ 90–95% TD | 更致密薄膜、更高成膜质量 |
| 工艺 | CIP + 烧结 / HIP | 强度高、抗裂、稳定溅射 |
| 背板 | Cu / Ti / Mo + 铟焊 | 降低热应力、改善散热性能 |
| 溅射方式 | RF / DC | RF 更适合氧化物薄膜沉积 |
| 材料 | 特性 | 应用 |
|---|---|---|
| Ga₂O₃ | 超宽禁带、透明、高击穿场强 | 深紫外器件、功率电子 |
| GaN | 宽禁带、电子迁移率高 | 高频器件、LED |
| SiC | 高热导率、高耐压 | 功率模块、逆变系统 |
| Al₂O₃ | 高耐热、绝缘性好 | 保护膜、介电层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| Ga₂O₃ 溅射时是否需要氧气？ | 通常建议使用 Ar + 少量 O₂ 以维持化学计量比。 |
| 是否适合 RF 溅射？ | 是，RF 对绝缘氧化物效果最佳。 |
| 薄膜是否透明？ | Ga₂O₃ 膜通常呈透明或半透明，取决于厚度与氧含量。 |
| 是否可用于深紫外探测？ | 是，Ga₂O₃ 是 DUV 器件的核心材料之一。 |
| 是否适合大面积镀膜？ | 高致密度 Ga₂O₃ 可用于大面积均匀化镀膜。 |
| 可否定制成分或掺杂？ | 可提供 Mg、Sn、In 等掺杂版本。 |
| 是否需要背板？ | Ø100 mm 以上靶材强烈建议使用 Cu/Ti 背板散热。 |
所有 Ga₂O₃ 靶材均采用：
真空密封
防静电袋
高密度泡沫缓冲
双层出口级纸箱或木箱
并附唯一溯源编码，确保产品安全运输。
氧化镓（Ga₂O₃）靶材是一种超宽禁带、光学透明、耐高温的高性能氧化物材料，广泛用于深紫外探测、功率电子、透明电子学及先进薄膜研究。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密并支持多规格定制的 Ga₂O₃ 靶材，是科研机构与企业制膜应用的可靠材料供应商。
如需报价或技术资料，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1