砷靶材（As）

产品简介

砷靶材（Arsenic Sputtering Target，化学符号 As）是一种用于 化合物半导体与光电薄膜沉积 的高纯材料。
砷在半导体领域中具有重要地位，常与镓（Ga）、铟（In）等形成 GaAs、InAs、InGaAs 等化合物，用于高频器件与红外探测器制造。

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度（99.9%–99.999%）砷靶材，晶粒细致、纯度高、成膜均匀，适用于科研与工业溅射系统。

产品详情

砷靶材通常为 灰黑色或银灰色固体，采用 真空熔炼与热压成型技术 制备。
具有良好的化学纯度与成膜一致性，可用于直流（DC）或射频（RF）磁控溅射系统。

主要特点：

• ✅ 高纯度（3N–5N），薄膜缺陷率低；

• ✅ 优异的化学稳定性与导电性；

• ✅ 低氧含量，适合高真空沉积环境；

• ✅ 成膜速率稳定，膜层均匀；

• ✅ 可与 Ga、In、Sb 等共溅射形成多元化合物膜。

应用领域

• ⚙️ 半导体器件：用于 GaAs、InAs、InGaAs 化合物半导体外延层沉积；

• 💡 红外光电器件：应用于红外探测器、光敏元件与激光器；

• 🔋 光电能源：用于光伏薄膜与光电转换层；

• 🧲 微电子与集成电路：用于高频与高速晶体管材料；

• 🧪 科研实验：用于新型化合物半导体薄膜研究。

技术参数

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常见问题（FAQ）

包装与交付

所有砷靶材均通过 ICP-MS 杂质分析与真空致密检测，并在洁净环境中封装。
采用 真空密封 + 防震泡沫 + 木箱外包装，确保运输过程安全无污染。

结论

砷靶材是化合物半导体薄膜沉积中不可或缺的关键材料，广泛应用于 红外探测、激光通信与高速电子器件制造。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯砷靶材，支持定制纯度、尺寸与背板结构，助力科研与工业生产。

📩 如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com