硅化铂靶材(PtSi)

产品简介(Introduction)

硅化铂(PtSi)靶材是一种贵金属硅化物靶材,以其优异的电学性能、化学稳定性及与硅基材料良好的界面兼容性,被广泛应用于红外探测器、光电器件、肖特基二极管、半导体金属化结构等高端技术领域。
其贵金属性质带来高稳定性,而硅化物结构则提供优良的界面特性,使 PtSi 成为精准薄膜沉积中不可替代的功能材料。

核心优势包括:

  • 与 Si 基底高度匹配,形成低界面缺陷薄膜;

  • 具备优异的红外响应能力,是 PtSi 红外探测器(IR FPA) 的核心材料;

  • 热稳定性高,不易氧化;

  • 导电性好,适合作为高性能电极与接触层。


产品详情(Detailed Description)

我司提供 99.9%(3N)– 99.99%(4N)高纯度 PtSi 溅射靶材,采用真空熔炼与热压烧结技术,材料致密度高、晶粒细腻且均匀,适用于精密光电与半导体镀膜工艺。

● 可提供的典型规格

  • 成分比例: PtSi、Pt₂Si、Pt₃Si(可定制相组成)

  • 尺寸范围: Ø25–Ø300 mm;矩形靶可定制

  • 厚度: 3–6 mm

  • 密度: ≥98% 理论密度(TD)

  • 工艺路线: 真空熔炼 + 热压 / HIP 加致密

  • 背板结合: Cu / Ti / In bonding(提升散热并降低内应力)

这些技术保证靶材:

  • 溅射稳定、无异常放电;

  • 输出致密均匀薄膜;

  • 在大功率溅射中保持机械完整性;

  • 显著减少颗粒(particles)产生。


应用领域(Applications)

● 红外探测器(Infrared Detectors)

PtSi 是制备 红外焦平面阵列(IR FPA) 中最重要的材料之一:

  • 响应波段稳定

  • 噪声低

  • 与硅工艺兼容性强
    常用于军事热成像、夜视系统、工业红外探测与科学研究。

● 光电与半导体器件

  • 肖特基势垒二极管

  • 红外光电探测器

  • 高性能接触层

  • CMOS 金属化结构

● 功能涂层

  • 耐腐蚀贵金属膜

  • 稳定电极膜

  • 高可靠性连接层

● 科研应用

  • 多层金属硅化物结构研究

  • 光电薄膜材料开发

  • 贵金属复合膜制备


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.99% 高纯材料降低薄膜缺陷与噪声
密度 ≥98% TD 提升薄膜致密性与均匀性
尺寸 Ø25–300 mm 适配各类溅射腔体设备
厚度 3–6 mm 影响溅射稳定性与散热
相组成 PtSi / Pt₂Si / Pt₃Si 决定导电性、红外性能
背板结合 Cu/Ti/In 焊接 防止靶材翘曲、提升寿命

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 优势 应用
PtSi 红外响应稳定,与 Si 兼容性最佳 IR 探测器、肖特基结构
Pt₂Si 电学性能更稳定 电极、接触层
Pt 金属 极高化学稳定性 电极、光学膜
NiSi 成本低但稳定性不足 CMOS 金属化结构

常见问题(FAQ)

问题 答案
PtSi 靶材可用于哪些溅射方式? DC/RF 磁控溅射均可。
PtSi 是否适合用于红外探测薄膜? 是的,PtSi 薄膜是经典 IR 探测材料。
是否易氧化? 极高稳定性,短时暴露空气无影响。
可否提供不同晶相比例? 可按科研需求定制 PtSi / Pt₂Si / Pt₃Si。
是否可共溅射? 可与 Si、Pt 或其他金属共溅射形成复合薄膜。
是否兼容 Si 基底? 完美兼容,是其主要应用基底。
能否提供带背板版本? 可提供 Cu、Ti、In bonding 背板结构。
PtSi 薄膜电阻率如何? 取决于相组成,一般低噪声且稳定。

包装与交付(Packaging)

  • 真空密封防污染包装

  • 防静电材料封装

  • 出口级防震木箱

  • 附靶材检测报告与唯一追溯编码

确保产品在运输与储存期间保持高洁净度和完整性。


结论(Conclusion)

硅化铂靶材(PtSi)凭借其贵金属稳定性、与硅基工艺的完美兼容性以及优异的红外与电学性能,是光电探测、半导体金属化及高端器件制造中不可替代的关键材料。

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