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硅化铂(PtSi)靶材是一种贵金属硅化物靶材,以其优异的电学性能、化学稳定性及与硅基材料良好的界面兼容性,被广泛应用于红外探测器、光电器件、肖特基二极管、半导体金属化结构等高端技术领域。
其贵金属性质带来高稳定性,而硅化物结构则提供优良的界面特性,使 PtSi 成为精准薄膜沉积中不可替代的功能材料。
核心优势包括:
与 Si 基底高度匹配,形成低界面缺陷薄膜;
具备优异的红外响应能力,是 PtSi 红外探测器(IR FPA) 的核心材料;
热稳定性高,不易氧化;
导电性好,适合作为高性能电极与接触层。
我司提供 99.9%(3N)– 99.99%(4N)高纯度 PtSi 溅射靶材,采用真空熔炼与热压烧结技术,材料致密度高、晶粒细腻且均匀,适用于精密光电与半导体镀膜工艺。
成分比例: PtSi、Pt₂Si、Pt₃Si(可定制相组成)
尺寸范围: Ø25–Ø300 mm;矩形靶可定制
厚度: 3–6 mm
密度: ≥98% 理论密度(TD)
工艺路线: 真空熔炼 + 热压 / HIP 加致密
背板结合: Cu / Ti / In bonding(提升散热并降低内应力)
这些技术保证靶材:
溅射稳定、无异常放电;
输出致密均匀薄膜;
在大功率溅射中保持机械完整性;
显著减少颗粒(particles)产生。
PtSi 是制备 红外焦平面阵列(IR FPA) 中最重要的材料之一:
响应波段稳定
噪声低
与硅工艺兼容性强
常用于军事热成像、夜视系统、工业红外探测与科学研究。
肖特基势垒二极管
红外光电探测器
高性能接触层
CMOS 金属化结构
耐腐蚀贵金属膜
稳定电极膜
高可靠性连接层
多层金属硅化物结构研究
光电薄膜材料开发
贵金属复合膜制备
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 高纯材料降低薄膜缺陷与噪声 |
| 密度 | ≥98% TD | 提升薄膜致密性与均匀性 |
| 尺寸 | Ø25–300 mm | 适配各类溅射腔体设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射稳定性与散热 |
| 相组成 | PtSi / Pt₂Si / Pt₃Si | 决定导电性、红外性能 |
| 背板结合 | Cu/Ti/In 焊接 | 防止靶材翘曲、提升寿命 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| PtSi | 红外响应稳定,与 Si 兼容性最佳 | IR 探测器、肖特基结构 |
| Pt₂Si | 电学性能更稳定 | 电极、接触层 |
| Pt 金属 | 极高化学稳定性 | 电极、光学膜 |
| NiSi | 成本低但稳定性不足 | CMOS 金属化结构 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| PtSi 靶材可用于哪些溅射方式? | DC/RF 磁控溅射均可。 |
| PtSi 是否适合用于红外探测薄膜? | 是的,PtSi 薄膜是经典 IR 探测材料。 |
| 是否易氧化? | 极高稳定性,短时暴露空气无影响。 |
| 可否提供不同晶相比例? | 可按科研需求定制 PtSi / Pt₂Si / Pt₃Si。 |
| 是否可共溅射? | 可与 Si、Pt 或其他金属共溅射形成复合薄膜。 |
| 是否兼容 Si 基底? | 完美兼容,是其主要应用基底。 |
| 能否提供带背板版本? | 可提供 Cu、Ti、In bonding 背板结构。 |
| PtSi 薄膜电阻率如何? | 取决于相组成,一般低噪声且稳定。 |
真空密封防污染包装
防静电材料封装
出口级防震木箱
附靶材检测报告与唯一追溯编码
确保产品在运输与储存期间保持高洁净度和完整性。
硅化铂靶材(PtSi)凭借其贵金属稳定性、与硅基工艺的完美兼容性以及优异的红外与电学性能,是光电探测、半导体金属化及高端器件制造中不可替代的关键材料。
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