描述
钽钛靶材(TaTi)
产品简介(Introduction)
钽钛靶材(TaTi)由钽(Ta)与钛(Ti)以特定比例组成,是一种兼具高熔点、强耐腐蚀性、优异粘附性能以及稳定电学特性的难熔金属合金溅射靶材。
Ta 提供极强的化学惰性与耐腐蚀性,Ti 提供优良的金属粘附特性,两者结合后的 TaTi 薄膜非常适合作为粘附层、阻挡层和界面工程薄膜,常用于半导体、微电子加工、传感器和光电器件结构中。
TaTi 是许多先进工艺中替代纯 Ti 的升级材料,其膜层稳定性更佳,氧化问题更低,适合长时间、高功率、低颗粒的溅射沉积。
产品详情(Detailed Description)
TaTi 靶材采用高纯钽和钛原料,通过真空熔炼、粉末冶金(PM)、CIP/HIP 致密化、热扩散合金化以及精密加工制备。
主要特性:
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高纯度(99.5%–99.99%)保证薄膜性能
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高致密度 ≥ 97%,薄膜颗粒率低
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W–Ti 固溶体结构均匀
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化学稳定性强,耐酸、耐碱、耐腐蚀
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薄膜应力低,附着力强
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溅射过程平稳,适合 RF / DC / 磁控溅射
可定制成分与结构:
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常见配比: Ta90Ti10、Ta80Ti20、Ta70Ti30
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可根据电阻率、粘附力需求灵活定制
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可制备圆形、矩形、阶梯靶(Step Target)
可供规格:
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直径:25–300 mm
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厚度:3–6 mm(支持更薄)
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纯度:3N–4N
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背板结合:铜背板(Cu)、钛背板(Ti)、铟焊(In Bonding)
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表面粗糙度:Ra < 0.8 μm(可提供镜面版本)
应用领域(Applications)
1. 半导体与微电子制造
作为高性能粘附层与阻挡层广泛应用于:
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Al、Cu、Au、Mo 等金属层的粘附层
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金属扩散阻挡层
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CMOS 工艺结构薄膜
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功率器件金属界面层
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TSV、MEMS 微机械结构
Ti 在 Ta 中的加入可提升金属粘附能力,而 Ta 可改善薄膜化学稳定性,是比纯 Ti 更稳定的“升级版粘附层”。
2. 光电器件与功能薄膜
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透明导电薄膜金属子层
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光学结构膜的附着增强层
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多层介电/金属叠层的界面调控层
3. 传感器器件
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压力/应变传感器的金属化层
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高温传感器保护膜
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具有高可靠性的功能界面层
4. 科研与新材料开发
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Ta–Ti 固溶体研究
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界面稳定性与扩散行为研究
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高温稳定薄膜体系开发
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多层纳米结构研究
技术参数(Technical Parameters)
| 参数 | 范围 / 典型值 | 技术说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.5%–99.99% | 高纯减少薄膜缺陷 |
| Ta/Ti 比例 | 可定制 | 影响电阻与附着力 |
| 致密度 | ≥97% | 薄膜均匀且颗粒少 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配全球溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 支持薄靶定制 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 提高散热性能 |
相关材料对比(Comparison with Related Materials)
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| TaTi | 粘附优异、耐腐蚀性强 | 半导体粘附层、阻挡层 |
| Ti | 粘附好但易氧化 | 粘附层、光电膜 |
| Ta | 高稳定性、耐腐蚀 | 阻挡层、保护层 |
| WTi | 更高温稳定性 | 高温/高应力结构膜 |
常见问题(FAQ)
1. TaTi 是否比 Ti 更适合作为粘附层?
是的,TaTi 稳定性更强,不易氧化,长期可靠性更好。
2. TaTi 是否支持大尺寸靶材?
可提供 4″、6″、8″、12″ 及矩形靶。
3. 是否支持 DC、RF 和磁控溅射?
全部支持,且颗粒率低。
4. TaTi 薄膜电阻率高吗?
可通过调节 Ti 含量控制电阻率。
5. 是否能提供成分与纯度检测?
可提供 ICP、密度、表面粗糙度等测试数据。
包装与交付(Packaging)
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真空密封防氧化
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内部防震泡棉固定
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出口级纸箱或木箱
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独立批次编码可追溯
结论(Conclusion)
钽钛靶材(TaTi)是一种兼具高附着性、耐腐蚀性与高温稳定性的关键溅射材料,广泛应用于半导体、微电子、光电与功能薄膜制造。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、定制化成分比例的 TaTi 靶材,适合科研与工业量产。
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