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硅铬靶材(SiCr)由硅(Si)与铬(Cr)组成,是一种兼具高硬度、优良耐腐蚀性以及稳定电学特性的功能性合金溅射靶材。Si 提供高电阻率与良好薄膜致密性,Cr 则带来高硬度、优异附着力和抗氧化特性,两者结合使 SiCr 成为硬质薄膜、抗腐蚀涂层、磁性薄膜以及光电结构膜的重要材料。
在薄膜沉积过程中,SiCr 可形成致密、均匀、附着力强且可调电阻率的薄膜,适合应用于半导体、光学镀膜、耐磨层、数据存储、微电子器件与新能源行业。
高纯度(99.9%–99.99%):降低杂质引起的薄膜缺陷
高致密度(≥97%):溅射平稳,颗粒率低
优异耐腐蚀性与抗氧化能力
电阻率可调,可用于导电或阻挡层结构
高硬度薄膜可显著提升耐磨寿命
兼容 DC / RF / 磁控溅射工艺
Si80Cr20
Si70Cr30
Si60Cr40
或根据客户需求开发不同配比
直径:25–300 mm
厚度:3–6 mm
纯度:3N–4N
形状:圆靶、矩形靶、多段式靶
背板结合:铜背板(Cu)、钛背板(Ti)、铟焊(In Bonding)
表面粗糙度:Ra < 0.8 μm,可提供镜面抛光
SiCr 薄膜硬度高、摩擦系数低,可用于:
工具涂层
耐磨保护层
MEMS 结构部件
高寿命机械薄膜结构
粘附层 / 阻挡层
介金属(IMD)结构
功能电阻膜
高频器件保护层
SiCr 的可调电阻率使其在现代逻辑与存储器工艺中具备优势。
中性密度滤光膜
反射调控膜
红外吸收层
光学结构保护膜
Cr 提供稳固机械特性,Si 提供光学与电阻调控能力。
Cr 常用作磁记录结构的界面层,Si 的加入有助于控制薄膜晶粒尺寸与均匀性,可用于:
磁存储
传感器
MRAM 相关复合膜层
功能薄膜材料研究
表面工程与结构调控
多层纳米复合薄膜开发
| 参数 | 典型值/范围 | 技术说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 影响薄膜缺陷密度 |
| Si/Cr 比例 | 可定制 | 改变膜层电阻与硬度 |
| 致密度 | ≥97% | 溅射稳定、颗粒率低 |
| 直径 | 25–300 mm | 兼容主流设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 支持长寿命靶材 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 增强散热与结构稳定性 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| SiCr | 耐腐蚀性强、可调电阻、硬度高 | 耐磨层、光学膜 |
| Cr | 高附着力、高耐腐蚀 | 粘附层、金属膜 |
| Si | 高电阻率、良好绝缘性 | 介电层、结构膜 |
| SiC | 超高硬度、耐磨性极佳 | 超硬薄膜、光电膜 |
1. SiCr 靶材能用于大功率溅射吗?
可以,高致密度结构可支持高功率磁控溅射。
2. SiCr 薄膜电阻率能调节吗?
能,通过调整 Si/Cr 比例即可。
3. 是否支持大尺寸靶材?
可提供 4″、6″、8″、12″ 等全尺寸。
4. SiCr 会氧化吗?
成膜过程中稳定性高,靶材已采用真空密封避免氧化。
5. 是否可提供检测报告?
可提供 ICP、XRF、表面粗糙度、密度等检测。
双层真空密封
内层防静电袋 + 防震泡棉
出口级纸箱/木箱保护
附唯一批次追踪标签
硅铬靶材(SiCr)结合硅与铬的优势,具备高硬度、优异耐腐蚀性、可调光学与电学性能,是半导体、光学镀膜、耐磨结构薄膜和磁性薄膜制造中非常重要的材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、定制成分的 SiCr 溅射靶材,适用于科研与量产。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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