锑铟锡靶材（SbInSn）

产品简介（Introduction）

锑铟锡靶材（SbInSn）是一种由锑（Sb）、铟（In）和锡（Sn）组成的多元合金靶材，拥有良好的电学性能、可调节的光学特性、低熔点与优异的薄膜成形性。作为一种功能性合金溅射靶材，SbInSn 在透明导电膜、光电器件、非晶薄膜结构、电极层以及功能性叠层膜结构中具有重要应用价值。

由于 In 和 Sn 均是常见透明导电材料元素，而 Sb 的加入可改善薄膜稳定性与成核过程，使得 SbInSn 在光学、半导体及新型电子器件开发中获得越来越多的关注。

产品详情（Detailed Description）

SbInSn 靶材采用高纯金属原料，通过真空熔炼、热等静压（HIP）、冷等静压（CIP）与高精度机械加工制备，保证靶材成分均匀、组织致密、溅射稳定。

靶材特性

• 高纯度（99.9%–99.99%）
  降低薄膜中的缺陷与杂质含量。

• 优异的成膜均匀性
  Sb 的加入能改善晶化行为，提高成核均匀性。

• 低颗粒溅射表现
  适合高要求薄膜制备工艺。

• 良好的光学与电学调控能力
  成分比例可根据膜层的透明度、电阻率进行灵活设计。

• 适用于所有主流溅射工艺
  包括 DC、RF、磁控溅射。

可定制成分（典型配比）：

• Sb10In60Sn30

• Sb5In65Sn30

• Sb8In62Sn30

• 也可根据客户薄膜电阻与透过率需求定制配方。

可供规格：

• 直径：25–300 mm

• 厚度：3–6 mm

• 形状：圆靶、矩形靶

• 背板结合：铜 (Cu)、钛 (Ti)、铟焊 (In Bonding)

• 表面粗糙度：Ra < 0.8 µm（可提供镜面级抛光）

应用领域（Applications）

1. 透明导电薄膜（TCO Films）

由于 In 和 Sn 的加入，使其可用于：

• 导电透明薄膜（替代或辅助 ITO）

• 大尺寸显示器导电结构

• 可挠式显示薄膜层

• 光学传感器电极层

2. 光电器件（Optoelectronic Devices）

• 光敏薄膜结构

• 光伏器件界面层

• 红外与可见光调控薄膜

• 光电转换功能叠层结构

3. 半导体与微电子

• 功能电极层

• 低温工艺薄膜

• 非晶金属薄膜结构

• 接触电阻优化层

Sb 能改善薄膜的稳定性与抗氧化能力，提升薄膜长期可靠性。

4. 科研实验与新薄膜材料开发

• 可调光电混合薄膜设计

• 功能性多元合金薄膜

• 新型透明电子器件研究

• 光学调制造型薄膜探索

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. SbInSn 薄膜的透光率高吗？
根据成分可调，一般可达到良好的光学透明性。

2. 能做大尺寸靶材吗？
可制备 4″、6″、8″、12″ 或更大尺寸。

3. 适用于 RF 或 DC 溅射？
两者均适用，磁控溅射稳定性优秀。

4. 成分可以完全定制吗？
支持，常用于科研配方开发。

5. 是否可提供材料分析报告？
可提供 ICP、XRF、密度、粗糙度等数据。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 内层防静电袋

• 外层防震泡棉

• 国际出口纸箱/木箱包装

• 全程附唯一批次编号

结论（Conclusion）

锑铟锡靶材（SbInSn）是一种具有高透明性、稳定电学性能与优异薄膜可控性的多元合金靶材，非常适用于透明导电膜、光电器件、半导体材料以及多层功能薄膜开发。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、致密、成分可定制的 SbInSn 靶材，适用于科研与量产。