金锗靶材（AuGe）

产品简介（Introduction）

金锗靶材（AuGe）由金（Au）与锗（Ge）组成，是半导体与光电行业中应用最广泛的贵金属合金靶材之一。Au 的高导电性、化学惰性与抗腐蚀性，使薄膜稳定可靠；Ge 的加入进一步改善金属在半导体（特别是 GaAs）基底上的润湿性与扩散能力，使 AuGe 薄膜成为高性能欧姆接触（Ohmic Contact）的核心材料。

由于其电学与结构性能稳定、膜层均匀性好、可实现可控扩散行为，AuGe 靶材广泛应用于激光器、光电探测器、微波器件、GaAs / InP 器件等先进半导体结构。

产品详情（Detailed Description）

材料优势

• 优异的电导率
  Au 保证极低电阻率，适合作为高端电极。

• 卓越的欧姆接触性能（特别是 GaAs）
  是 III-V 化合物半导体标准金属化方案。

• 可控扩散行为
  Ge 的加入调控金属向 GaAs 的扩散形成稳定合金界面。

• 成膜均匀、低颗粒
  适合高端光电与微电子薄膜工艺。

• 抗氧化与抗腐蚀性能强
  Au 提供极佳化学稳定性，在高湿与高温环境仍保持性能。

典型成分（可定制）

• Au88Ge12（最常用）

• Au82Ge18

• Au90Ge10

• 特殊科研配比可定制

此类成分比常用于 GaAs 器件欧姆接触与光电结构层。

可供规格

• 直径：25–200 mm（可定制更大尺寸）

• 厚度：2–6 mm

• 纯度：Au、Ge ≥ 99.99%（4N）

• 形状：圆靶 / 方靶 / 大面积靶材

• 背板：Cu / Ti / Mo / In bonding 可选

• 表面粗糙度：Ra < 0.8 µm（可镜面抛光）

应用领域（Applications）

1. III-V 半导体欧姆接触

AuGe 是 GaAs 欧姆接触标准材料，用于：

• 激光二极管（LD）

• 光电探测器（PD）

• HEMT、HBT、FET

• 微波与毫米波器件

其扩散特性使金属与 GaAs 界面形成低接触电阻结构。

2. 光电器件（Optoelectronic Devices）

• 激光器金属化层

• 光敏探测器电极

• 红外探测芯片电极

• 多层光学金属薄膜

3. 微电子与集成电路（IC & Microelectronics）

• 粘附层 / 电极层

• 高温稳定电极

• 化合物半导体互连结构

• 封装金属化层

4. 其他应用

• 硅基光电子器件

• MEMS 金属层

• 功能金属薄膜研究

• 多层金属结构中的扩散调控膜

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. AuGe 靶材是否主要用于 GaAs 欧姆接触？
是，AuGe 是 GaAs 器件最经典、最稳定的欧姆金属体系。

2. 能否制作大尺寸溅射靶材？
可以，可提供 4″、6″、8″+ 等规格。

3. Au/Ge 比例能否定制？
完全可根据欧姆接触深度、电阻需求设计。

4. 是否兼容 DC 与 RF？
均支持，磁控溅射表现稳定。

5. 是否可提供 XRF / ICP 认证？
可提供完整成分分析报告。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封（防氧化）

• 防静电与防震包装

• 出口级木箱或纸箱

• 每件靶材均附唯一批次号

结论（Conclusion）

金锗靶材（AuGe）是一种兼具优异欧姆性能、成膜均匀性与扩散可控性的贵金属合金靶材，是 GaAs 光电与半导体器件中不可替代的关键材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制比例的 AuGe 靶材，满足科研与大规模量产需求。