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二氧化硅靶材（SiO）是一种常用于光学镀膜、半导体薄膜以及精密涂层制备的重要高纯氧化物靶材。与传统 SiO₂ 不同，SiO 具有更高的蒸发效率、更优的薄膜致密性和更易控制的折射率，特别适用于蒸发法和磁控溅射法制备光学薄膜、绝缘层与高透明度功能涂层。
高纯 SiO 靶材在膜层的均匀性、光学稳定性、介电性能和环境耐受性方面表现出色，是科研机构与光电制造企业广泛使用的关键材料。
苏州科跃材料科技有限公司生产的 SiO 靶材采用高纯前驱物，经冷等静压（CIP）、高温烧结和精密研磨制备，具有高致密度、低缺陷、稳定性优异的特点。
标准规格：
纯度： 99.9%（3N）– 99.99%（4N）
形状与尺寸： Ø25–Ø300 mm 圆形靶，可定制矩形靶
厚度： 3–6 mm，可按需定制
工艺路线： CIP 成型 + 高温烧结 + 精磨
背板： 可选 Cu / Ti 背板或铟焊（In bonding）
外观： 深灰至黑色细密陶瓷质感（取决于制程及纯度）
性能亮点：
高致密度，溅射稳定性强
低颗粒，适合高品质光学膜层制备
成分均匀性优异，薄膜一致性佳
可根据需求调整配方、密度与气孔率
高折射率薄膜
抗反射膜（AR Coating）
干涉膜、反射膜
激光光学元件镀膜
绝缘层薄膜
透明介电层
保护层、阻挡层
低辐射膜（Low-E）
高透明度保护膜
装饰性光学镀膜
RF / DC 磁控溅射
蒸发镀膜（EB、热蒸发）
多层结构薄膜设计
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 纯度越高光学性能越稳定 |
| 密度 | ≥ 2.1–2.2 g/cm³（取决于制程） | 高致密减少颗粒与膜缺陷 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 兼容各种溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定寿命与溅射效率 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊接 | 改善散热与平整度 |
| 工艺 | CIP 成型、烧结、研磨 | 获得高度均匀和致密结构 |
| 材料 | 优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| SiO | 易沉积、折射率可调、膜层致密 | 光学镀膜、保护膜 |
| SiO₂ | 透光率高、化学稳定性强 | 绝缘膜、光学窗口 |
| Si | 电气性能优良，可导电 | 半导体薄膜、太阳能电池 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SiO 靶材适用于哪些溅射方式？ | RF、DC、脉冲溅射均兼容，也适用于蒸发法。 |
| SiO 与 SiO₂ 有何区别？ | SiO 更易沉积，折射率较高，可获得更致密的薄膜。 |
| SiO 薄膜适合做光学膜吗？ | 是的，常用于 AR 膜、反射膜和干涉膜。 |
| 靶材是否需要背板？ | 大尺寸建议 Cu/Ti 背板，提升散热与平整度。 |
| 是否可定制不同密度？ | 可以，科研项目可定制不同致密度。 |
| SiO 薄膜颗粒多吗？ | 高致密靶材能大幅减少颗粒生成。 |
| 可否用于多层结构？ | 推荐作为高折射率层或调制层材料使用。 |
| 是否提供物性测试报告？ | 可提供 XRD、密度、SEM、化学成分检测等。 |
| SiO 是否吸潮？ | 基本不吸湿，常温存放即可。 |
| 可否提供矩形靶或阶梯靶？ | 完全支持定制。 |
所有 SiO 靶材在出厂前均通过密度、纯度、尺寸、外观与显微结构检查，并贴附唯一追踪编码。
包装采用：
真空密封
防震泡沫
出口级木箱
确保运输过程中无破损、无污染。
二氧化硅靶材（SiO）凭借其出色的光学特性、易沉积性和薄膜致密度，被广泛应用于光学镀膜、半导体绝缘层及透明电子器件，是高端薄膜制备中的关键功能材料。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高稳定性、可定制的 SiO 靶材，为科研与量产提供可靠材料支持。
如需获取更多规格或报价，请联系：
sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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