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氧化铟钼靶材（InMoO）是一种由铟（In）与钼（Mo）组成的复合氧化物靶材，属于功能氧化物薄膜材料。In–Mo–O 体系具有优异的透明导电特性、光学稳定性和可调控的电学性能，是透明导电膜（TCF）、光电器件、薄膜晶体管（TFT）与柔性电子的重要材料之一。
相比传统 ITO（氧化铟锡），InMoO 在电导率稳定性、可控性及高温性能方面具有潜在优势，并适用于更广泛的薄膜沉积工艺与基底材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度 InMoO 溅射靶材。靶材通过冷等静压（CIP）成型、高温烧结与精密研磨工艺制备，确保膜层成分稳定、结构均匀、表面缺陷少。
产品规格：
纯度： 99.9% – 99.99%
尺寸： Ø25–Ø300 mm 圆形靶，可定制矩形靶
厚度： 3–6 mm（可定制）
化学计量比： In:Mo 比例可根据科研需求调整
制造工艺： CIP 成型 + 烧结致密化 + 精磨
背板选项： Cu / Ti / In 焊接
材料特点：
高致密度结构，溅射稳定性强
成分均匀，适合透明导电薄膜制备
低颗粒、低缺陷，适用于高精度光电薄膜
可用于 RF / DC / 脉冲溅射系统
氧化铟钼靶材广泛应用于透明电子与能量相关薄膜材料：
显示器（LCD、OLED、Micro-LED）
触控屏
柔性导电薄膜
透明 TFT
Oxide TFT（OTFT）
太阳能电池透明电极
透明吸收层/调制层
折射率调控薄膜
多层光学干涉膜
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 提高膜层光电性能与稳定性 |
| 密度 | ≥ 90% 理论密度 | 降低颗粒，提高薄膜均匀性 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 适配各种溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定溅射寿命与速率 |
| In:Mo 比例 | 可定制 | 影响导电性、透光率与稳定性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In | 提升散热与平整度 |
| 工艺 | CIP + 烧结 + 精磨 | 获得高一致性、高致密靶材 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| InMoO | 可调电导率、稳定性高 | 透明导电膜、TFT |
| ITO（In₂O₃:Sn） | 商用成熟，导电性强 | 显示与触控 |
| ZnO-基材料 | 成本低、环保 | TCO、薄膜器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| InMoO 靶材能否替代 ITO？ | 视应用而定，在透明度与高温稳定性方面具有优势。 |
| In:Mo 比例可否定制？ | 可以，根据科研需求定制不同化学计量。 |
| 是否适用于柔性基底？ | 可在低温工艺中使用，适合柔性电子材料。 |
| 是否用于 RF 或 DC？ | RF、DC、脉冲 DC 均兼容。 |
| 是否需要背板？ | 大尺寸靶材推荐使用 Cu/Ti 背板帮助散热。 |
| 是否提供测试报告？ | 可提供 XRD、SEM、密度、成分分析等。 |
| 是否适合光学多层膜？ | 是，可作为折射率可调层或透明功能层。 |
| 是否容易潮解？ | 稳定性良好，常温干燥环境即可保存。 |
| 可否用于太阳能电池？ | 可作为透明电极或界面层材料。 |
| 是否支持阶梯靶、矩形靶？ | 全部支持定制。 |
所有 InMoO 靶材均经过密度、纯度、成分、尺寸与表面平整度检测，并贴附唯一追踪编号。
包装采用：
真空密封
防震保护
出口级木箱
确保靶材在运输与存储过程中保持洁净与稳定。
氧化铟钼靶材（InMoO）凭借其优秀的透明导电性能、稳定性与可调控特性，是光电显示、透明电子与薄膜器件中关键的溅射材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、可定制的 InMoO 靶材，为科研与工业客户提供可靠选择。
如需了解更多规格或报价，请联系：
sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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