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钼钨靶材（MoW）由钼（Mo）与钨（W）按特定比例组成，是一种兼具高熔点、高热稳定性和低电阻率的难熔金属合金靶材。由于 Mo–W 体系在热学、电学以及结构稳定性方面具有显著优势，被广泛应用于半导体、光学涂层、薄膜电阻、电极材料以及高温功能薄膜等领域。
MoW 合金靶材具有优异的耐蚀性与高密度烧结结构，可在磁控溅射工艺中提供稳定的沉积速率、低颗粒率以及高质量薄膜一致性，是高温、耐磨、耐腐蚀薄膜的重要材料来源。
钼钨靶材采用高纯金属粉末，通过冷等静压（CIP）成型与高温烧结（Sintering）或热等静压（HIP）制备而成。靶材结构致密、晶粒均匀，满足高功率溅射及大面积薄膜沉积需求。
典型规格：
纯度（Purity）：99.95% – 99.99%
配比（Composition）：Mo–W（常见比例如 70/30、50/50、10/90，可定制）
直径（Diameter）：Ø25–Ø300 mm（含 1″ / 2″ / 3″ 常规尺寸）
厚度（Thickness）：3–6 mm
工艺路线：CIP + 真空烧结 / HIP
致密度（Density）：≥97% 理论密度（TD）
背板（Bonding）：可选 Cu / Ti 背板或铟焊结构
关键性能优势：
高熔点（Mo：2610°C；W：3410°C）
出色的耐热冲击能力
低电阻率、良好导电性
高硬度与耐蚀性
低颗粒率（Low Particles）
适合长时间稳定溅射
钼钨靶材因其耐高温、耐腐蚀和优异电学性能，广泛用于以下领域：
层间互连金属（Barrier / Liner）
电极材料
高温稳定金属薄膜
高温反射膜
耐腐蚀镜面膜
红外光学薄膜（IR Coatings）
用于高温、高功率电子器件。
如高硬度表面薄膜、耐冲蚀薄膜、防护涂层等。
用于极端环境的高稳定性功能薄膜。
适用于 PVD 相关的各种结构与性能调控实验。
兼容 DC / RF 磁控溅射、反应溅射、共溅射 等多种沉积工艺。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.95% – 99.99% | 纯度越高，薄膜电阻率越稳定 |
| 配比 | Mo/W = 70/30、50/50、30/70（可定制） | 满足不同薄膜性能需求 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配所有主流 PVD 设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定靶材寿命与沉积速率 |
| 致密度 | ≥97% TD | 影响薄膜均匀性与稳定性 |
| 背板 | Cu / Ti / In 焊 | 提升散热效率与结构强度 |
| 材料 | 特点 | 应用方向 |
|---|---|---|
| MoW | 耐高温、高稳定性、导电性佳 | 半导体、电极、反射膜 |
| W（钨） | 极高熔点、极低蒸气压 | 高温薄膜、耐磨薄膜 |
| Mo（钼） | 良好导电性、电阻稳定 | 金属电极、背电极薄膜 |
| MoSi₂ | 耐氧化性强 | 高温保护层 |
| MoTi | 良好附着性 | 半导体粘附层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| MoW 靶材会开裂吗？ | 高致密度 HIP 制程可避免结构脆裂。 |
| 能否定制比例？ | Mo/W 比例可按需求定制（10%–90%）。 |
| 是否需要背板？ | 如大尺寸靶材或高功率溅射，建议 Cu/Ti 背板。 |
| 是否支持共溅射？ | 可用 Mo 与 W 分别共溅射，也可用 MoW 单靶材。 |
| 可否用于反应溅射？ | 可在 Ar+O₂ / N₂ 环境稳定溅射。 |
| 基底兼容性如何？ | 与 Si、玻璃、蓝宝石、氧化物基底兼容性良好。 |
| 膜层电阻率稳定吗？ | 是的，MoW 薄膜具有优良温度稳定性。 |
苏州科跃材料科技有限公司为每片钼钨靶材提供：
真空密封（防氧化）
静电与防震泡沫保护
出口级硬箱或木箱包装
唯一条码/批次追踪编号
确保靶材在运输与储存中保持清洁与完好。
钼钨靶材（MoW）以其卓越的高温稳定性、电学性能和耐腐蚀性，广泛用于半导体、光学、能源与高端工业领域的薄膜沉积。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同比例、不同尺寸以及背板结构的定制化解决方案，是科研和工业制程的理想选择。
如需更多技术参数或获取报价，请联系：
📩 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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