锇靶材(Os)

锇靶材(Os Sputtering Target)

产品简介(Introduction)

锇靶材(Os Sputtering Target)是一种稀有而高贵的高熔点贵金属靶材,因其优异的化学稳定性、硬度和高密度特性而在科研与高端制造领域备受重视。锇(Os)作为铂族元素之一,具有极高的抗腐蚀性和优良的催化性能,常用于制备功能性薄膜、电极层以及高耐磨镀层。在半导体、光电、能源与真空镀膜等行业中,锇靶材被广泛用于高性能薄膜沉积研究。

产品详情(Detailed Description)

锇靶材由高纯度金属锇(Os ≥99.9%)制成,可提供圆形、矩形及定制形状,尺寸范围涵盖直径 25–300 mm、厚度 3–6 mm。
根据客户需求,可采用真空熔炼与热等静压(HIP)工艺制造,以确保组织均匀、致密度高、无气孔缺陷,从而提升薄膜附着力与稳定性。
锇的高密度(22.59 g/cm³)与高熔点(3045 °C)使其适用于高能溅射条件,能够形成致密且耐磨的薄膜层。

背板可选用铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonding)结构,以增强散热效率与机械强度,防止热应力导致的靶材变形或开裂。

应用领域(Applications)

  • 半导体薄膜沉积:用于电极层、栅极金属、阻挡层及高温互连结构。

  • 光学镀膜:用于红外反射层、耐磨保护膜及反射镜背层。

  • 能源与催化材料:在燃料电池、电化学传感器及催化电极中应用。

  • 科研实验:作为高密度、稳定性优异的研究用金属薄膜源。

  • 装饰镀膜:因其光泽与耐蚀性,用于高端钟表、仪器外壳镀层。

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.99% 高纯度可减少杂质迁移与薄膜缺陷
密度 22.59 g/cm³ 极高密度,保证膜层致密度
熔点 3045 °C 适合高温溅射环境
尺寸 25 – 300 mm(可定制) 兼容主流溅射腔体
厚度 3 – 6 mm 影响膜层沉积速率与均匀性
背板结合 铜 / 钛 / 铟焊 改善散热与结构稳定性
制造工艺 真空熔炼 + HIP 提高材料致密度与寿命

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
锇(Os) 高硬度、高密度、耐腐蚀 高精度电极薄膜
铂(Pt) 优异的化学稳定性 催化层与电极膜
铑(Rh) 良好的反射性与耐磨性 光学反射层
铱(Ir) 高温稳定性极佳 高温电极与保护膜

常见问题(FAQ)

问题 答案
该靶材适合哪种溅射方式? 可用于直流(DC)和射频(RF)磁控溅射系统。
锇靶材沉积的薄膜有何特性? 具有高致密性、优异的耐腐蚀性和稳定的光学反射特性。
是否能与其他金属共溅射? 可以,与Pt、Ir、Ru等共溅射以调控薄膜性能。
锇靶材是否易氧化? 锇在高温下可能生成挥发性OsO₄,应在高真空下操作。
溅射过程中如何避免氧化? 建议采用惰性气氛(Ar)环境,控制腔体氧含量。
是否适合用于电极制备? 是的,常用于微电子器件电极及催化电极薄膜。
锇靶材的硬度高吗? 是金属中最硬之一,有效提升薄膜耐磨性。
可否提供带铜背板版本? 可以,铜背板有助于散热并防止热变形。
是否能定制尺寸? 支持多种尺寸与形状定制,兼容主流设备。
锇靶材可用于哪些科研方向? 表面工程、催化材料、电化学电极、真空镀膜研究等。

包装与交付(Packaging)

所有锇靶材均在洁净环境中加工与检测,采用真空密封包装,并放置于防震泡沫与出口级木箱中。每件产品附带唯一追溯标签和检测报告,确保运输过程安全无污染。

结论(Conclusion)

锇靶材凭借其高密度、极强耐腐蚀性与优异热稳定性,是高端薄膜制备和科学研究中不可或缺的贵金属靶材。无论在半导体制造、光学镀膜还是能源研究领域,锇靶材都能提供可靠的性能表现和出色的膜层品质。

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