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镓靶材（Ga Sputtering Target）是一种广泛应用于半导体、光电与功能薄膜领域的高纯金属靶材。镓（Gallium）具有低熔点、高润湿性以及良好的导电与导热性能，在磁控溅射和蒸发镀膜工艺中表现出优异的薄膜均匀性和附着力。其独特的化学稳定性和光电特性使其成为制备化合物半导体（如GaN、GaAs）和透明导电薄膜的重要基础材料。
镓靶材通常采用高纯度金属镓（99.99% – 99.999%）通过真空熔炼或冷却固化工艺制备而成。由于镓在室温下为固态至低熔点（29.8 °C）之间的可塑金属，因此靶材需保持恒温控制以防局部液化。
表面经过精密加工与抛光处理，确保光滑、致密、无夹杂物，从而获得稳定的溅射速率与优良的薄膜特性。
可根据客户设备要求提供多种形状（圆形、矩形或环形）及背板结合（如铜或钛背板）以提高热传导效率与机械稳定性。
半导体工业：用于制备GaAs、GaN、Ga₂O₃ 等化合物半导体薄膜。
光电器件：在LED、OLED、激光二极管中作为活性层材料。
光学镀膜：用于透光膜、滤光膜与红外反射层。
能源材料：应用于太阳能电池、电化学电极与透明导电膜。
科研实验：在薄膜电子、界面反应与化合物生成研究中广泛使用。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.99% – 99.999% | 高纯度可显著降低薄膜缺陷与杂质含量 |
| 熔点 | 29.8 °C | 低熔点金属，需控温操作 |
| 密度 | 5.91 g/cm³ | 影响溅射速率与膜层均匀性 |
| 尺寸 | 25 – 200 mm（可定制） | 兼容主流溅射系统 |
| 厚度 | 3 – 6 mm | 影响沉积时间与靶材寿命 |
| 背板结合 | 铜 / 钛 / 铟焊 | 提升热导与结构稳定性 |
| 制造工艺 | 真空熔炼 + 抛光 | 保证表面洁净与组织均匀 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 镓（Ga） | 低熔点、良好润湿性 | 化合物半导体、透明导电膜 |
| 镓砷（GaAs） | 优异的电学特性 | 光电器件、激光器 |
| 镓氮（GaN） | 高带隙能量 | LED、功率电子器件 |
| 铟（In） | 优良导电性 | 透明导电薄膜、ITO膜层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 镓靶材适合哪种溅射方式？ | 可用于射频（RF）磁控溅射，必要时采用低温控温平台。 |
| 镓靶材容易熔化吗？ | 熔点为29.8 °C，需在温控或冷却系统下使用。 |
| 镓靶材薄膜的主要特性是什么？ | 膜层致密、附着力强，可形成高光学透过率薄膜。 |
| 是否可用于GaN或GaAs薄膜制备？ | 是的，是形成这些化合物半导体的关键源材料。 |
| 镓靶材需要背板吗？ | 建议采用铜或钛背板，防止靶材软化或变形。 |
| 是否能与其他材料共溅射？ | 可以，与氧化物、氮化物共溅射可形成复合薄膜。 |
| 是否可用于透明导电膜？ | 是，可与氧化物靶共溅射实现导电与透光性平衡。 |
| 镓靶材的保存条件？ | 建议在低温干燥环境中密封保存，避免阳光直射。 |
| 是否会氧化？ | 在空气中会缓慢氧化，应在惰性气氛中操作。 |
| 溅射过程中的注意事项？ | 控制靶面温度、使用低功率起弧以防止局部熔融。 |
镓靶材出厂前均经过表面清洁与真空密封处理，并附带唯一追溯编号。包装采用防氧化真空袋、冷链保温层及防震泡沫，确保运输过程中的纯度与完整性。
镓靶材以其独特的低熔点、高纯度及优良的光电性能，成为薄膜电子与半导体制造中的关键材料。其在GaN、GaAs与透明导电膜等领域的广泛应用，展现出其在高科技产业链中的重要地位。
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