氧化镉靶材(CdO)

氧化镉靶材(CdO)

产品简介(Introduction)

氧化镉靶材(CdO)是一种 II–VI 族金属氧化物,具有高电子迁移率、良好的导电性、宽带隙(~2.2–2.7 eV)、稳定的光学特性以及可调控的载流子浓度,是重要的透明导电薄膜材料(TCO)。CdO 在红外光学、光电探测、透明电子学、传感器以及多层功能薄膜体系中具有广泛应用。

由于其出色的导电性和可见光–红外区的高透过性,CdO 是制备高性能透明电极、光电窗口层和红外器件的重要靶材。


产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司采用高纯前驱物,通过冷等静压(CIP)、高温烧结与精密研磨工艺生产高致密 CdO 溅射靶材,确保薄膜制备的稳定性与一致性。

产品规格如下:

  • 纯度: 99.9%(3N)、99.99%(4N)

  • 尺寸: Ø25–Ø300 mm 圆形,可定制矩形或阶梯靶

  • 厚度: 3–6 mm(可定制)

  • 外观: 深灰至深绿色陶瓷质感,高致密度

  • 工艺流程: CIP 成型 → 烧结致密化 → 精密研磨

  • 背板: 可选 Cu / Ti / In-bonding(适用于大尺寸散热)

材料优势:

  • 高电子迁移率,导电性出色

  • 窄缺陷分布,薄膜均匀性高

  • 高致密度确保低颗粒溅射

  • 适用于 RF / DC / Pulsed DC 等多种溅射方式


应用领域(Applications)

1. 红外光学(Infrared Optics)

  • 红外窗口层

  • IR 透过薄膜

  • 热镜、热控制膜

2. 透明导电膜(Transparent Conductive Films, TCF)

  • 透明电极

  • 平板显示器窗口层

  • 太阳能电池透明电极

3. 光电探测器与光伏(Optoelectronics)

  • UV–IR 传感器

  • 光电二极管窗口层

  • 高透过率导电膜

4. 氧化物电子学(Oxide Electronics)

  • 透明半导体层

  • 多层薄膜中的功能过渡层

5. 气体传感器(Gas Sensors)

  • 氧空位敏感薄膜

  • II–VI 氧化物敏感元件


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 值 说明
纯度 99.9%–99.99% 确保薄膜透明性与电学性能稳定
密度 ≥ 90% 理论密度 高致密减少颗粒,提高膜均匀性
尺寸 Ø25–Ø300 mm 可适配科研与量产设备
厚度 3–6 mm 可根据沉积速率与寿命定制
电学特性 可调载流子浓度 取决于氧含量与沉积条件
背板 Cu / Ti / In 焊接 大尺寸靶材建议使用
工艺路线 CIP + 烧结 + 精磨 获得平整、稳定的靶材结构

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 典型应用
CdO 导电性强、红外透过率好 TCO、IR 器件
ITO(In₂O₃:Sn) 成熟度高、透明度好 显示与触控
ZnO + Al(AZO) 环保、成本低 TCO、薄膜电子

常见问题(FAQ)

问题 答案
CdO 靶材是否有毒? 固态 CdO 稳定,但加工时需避免粉尘吸入;溅射使用安全。
是否适用于 RF 溅射? 是的,RF / DC / 脉冲溅射均兼容。
薄膜是否透明? CdO 薄膜在可见光与红外区均具有高透过率。
是否可定制尺寸? 支持所有尺寸与背板定制。
大尺寸靶材是否建议背板? 建议 Cu/Ti 背板增强散热与稳定性。
CdO 是否容易产颗粒? 苏州科跃采用高致密烧结工艺,可显著减少颗粒生成。
是否提供 XRD / SEM 数据? 可提供全套材料表征。
薄膜导电性能调控吗? 可通过氧压、溅射功率与后退火调节。
CdO 薄膜适合红外应用吗? 是,红外透明性是 CdO 的核心优势之一。
是否做阶梯靶? 可加工圆形、矩形、阶梯、分割靶。

包装与交付(Packaging)

每片 CdO 靶材出厂前均通过:

  • 纯度检测

  • 密度测试

  • EDS 化学成分分析

  • 尺寸与表面平整度检查

包装方式:

  • 真空密封

  • 干燥防潮处理

  • 防震泡沫保护

  • 出口级木箱运输

确保运输过程中无污染、无破损。


结论(Conclusion)

氧化镉靶材(CdO)凭借其优异的导电性、透明度与红外性能,是透明电子、光电探测、IR 器件与多层结构薄膜制备的重要功能材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可按需定制的 CdO 靶材,为科研与量产应用提供可靠材料支持。

如需获取报价或更多技术参数,请联系:
sales@keyuematerials.com