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碲化锗靶材（GeTe）是一类具有重要研究与产业价值的相变材料，广泛应用于光存储、相变存储器（PCRAM）、热电薄膜、红外光电以及新型能带调控材料领域。GeTe 以其快速相变速度、可逆结构转变、优异的热电性能和稳定的电输运特性而著名。
在磁控溅射制程中，GeTe 靶材能够生成高致密、均匀的薄膜，是相变存储器与热电材料研究中不可或缺的核心靶材。
● 纯度范围： 99.9%–99.999%
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持全尺寸定制）
● 厚度： 2–6 mm（可按设备需求调整）
● 化学组成： GeTe 或轻微偏析调控（Ge-rich / Te-rich）
● 致密度： ≥ 95% 理论密度
● 制造工艺：
真空热压烧结
CIP 冷等静压
HIP 热等静压致密化工艺
● 可选结构： 倒角、抛光表面、超声清洗
● 背板选项： 铜 / 钛 / 铟焊背板，可提升散热能力、降低变形风险
高纯高致密的 GeTe 靶材可减少颗粒产出、稳定溅射速率，并确保薄膜在后续退火中获得良好的相变性能。
● 相变存储器（PCRAM）
GeTe 是相变材料体系（Ge–Sb–Te, GeTe–Sb₂Te₃）的核心成分，用于高速非易失性存储器制造。
● 光学存储材料（Optical Storage）
用于 DVD-RW / Blu-ray RW 的相变膜层制备。
● 热电材料（Thermoelectrics）
GeTe 薄膜具有高热电 ZT 值，是 p 型热电材料的重要候选。
● 红外与光电探测器
GeTe 的带隙特性使其适合中红外敏感薄膜。
● 先进材料与能带工程研究
包括拓扑相、电子关联、异质结结构等。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 高纯度减少薄膜缺陷与氧化物夹杂 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 兼容主流溅射设备 |
| 厚度 | 2–6 mm | 依沉积速率与靶寿命需求选择 |
| 致密度 | ≥95% | 高致密度可减少颗粒喷射 |
| Ge:Te 比例 | 可定制 | 支持热电 / 相变应用的配比优化 |
| 背板 | Cu / Ti / In Bonding | 提升散热、降低热应力、确保平整度 |
| 材料 | 优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| GeTe | 快速相变、优异热电性能 | PCRAM、热电薄膜 |
| Ge₂Sb₂Te₅（GST） | 相变速度快、稳定性高 | 商用相变存储器 |
| Sb₂Te₃ | p 型热电性能好 | 热电器件 |
| Ge-rich GeTe | 相变温度更高 | 高温 PCRAM |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| GeTe 靶材适用 RF 还是 DC？ | RF 溅射更稳定，可降低成分分离风险。 |
| 薄膜沉积后需要退火吗？ | 是的，退火可形成具有相变特性的晶相结构。 |
| 会有颗粒问题吗？ | 高致密靶材与低能量溅射可显著减少颗粒。 |
| GeTe 容易氧化吗？ | 略有敏感，建议真空密封保存并尽快使用。 |
| 可否调整 Ge:Te 比例？ | 可以，根据热电或相变需求提供定制配比。 |
| 能否小尺寸加工？ | 可以提供 1 英寸以下科研试样。 |
| 是否适合柔性电子？ | 可适配，但需要控制应力与退火条件。 |
| 有背板是否更稳定？ | 推荐 Cu / Ti 背板，提高散热与几何稳定性。 |
| 能用于共溅射吗？ | 可以，与 Sb₂Te₃、In₂Te₃、Ge 组合用于性能调控。 |
● 单片独立真空封装
● 防静电袋 + 防震泡棉保护
● 出口级木箱运输
● 附带批次编号、纯度证书与检测报告（密度、尺寸等）
碲化锗靶材（GeTe）凭借其高速相变特性、优异热电性能和良好薄膜沉积表现，是未来存储器、光电器件及先进材料研究的重要材料。我司可提供高纯度、高致密度的 GeTe 靶材，并支持配比、尺寸和背板结构的定制服务。
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