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碲化铋(BiTe)是一类典型的热电半导体材料,属于 Bi–Te 体系化合物(如 Bi₂Te₃)的基础组分,具有优异的热电性能、高载流子迁移率以及良好的可加工性。由于其在热电转换、红外探测、相变材料以及新型拓扑绝缘体研究中的重要地位,BiTe 靶材已成为先进薄膜制备中的关键材料。
高纯碲化铋靶材在磁控溅射沉积中表现出稳定的溅射速率、较低颗粒、优异的膜层附着力以及可控的电学与热学性能,广泛用于科研机构与高端制造领域。
BiTe 靶材通常通过真空热压烧结、冷等静压(CIP)、热等静压(HIP)等工艺制备,以确保高致密度与均匀微观结构。
● 纯度:99.9% – 99.999%(3N–5N)
● 尺寸规格:Ø25–Ø300 mm 可定制,矩形靶亦可提供
● 厚度范围:3–6 mm(根据设备可进一步定制)
● 密度:≥95% 理论密度
● 显微结构:细晶均匀、低孔隙率,保证成膜一致性
● 背板结合方式:铜背板、钛背板或铟焊,有效降低热应力、避免靶材裂纹
● 常用制造工艺:真空烧结 / 热压烧结(HP)/ HIP 提高致密性与稳定性
高致密度 BiTe 靶材帮助改善薄膜晶体质量、降低缺陷密度、提升热电性能,并增强器件长期稳定性。
碲化铋靶材在多个高端薄膜应用中扮演重要角色:
BiTe 是热电薄膜材料的核心体系
用于微型热电发电器、制冷器、热电传感器等
Bi₂Te₃ 是典型拓扑绝缘体材料之一
用于量子电子学、低能耗器件、超导/拓扑界面研究
用于制备红外探测器薄膜
功能薄膜用于光学调控与界面工程
可与 SbTe、GeTe 等材料共溅射
应用于相变存储(PCM)研究与器件开发
作为电极层、缓冲层或能带调控层
适用于多层结构设计与材料物性研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 决定薄膜电学、热电性能稳定性 |
| 密度 | ≥95% 理论密度 | 提高薄膜致密度与成膜一致性 |
| 直径 | Ø25–300 mm(可定制) | 适用于各类溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射功率与靶材寿命 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In Bonding | 优化散热、防止靶材在高功率下开裂 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| BiTe | 热电性能优异,可作为基底配方 | 热电薄膜、拓扑材料 |
| Bi₂Te₃ | 典型热电材料与拓扑绝缘体 | 热电器件、量子器件 |
| Sb₂Te₃ | 高导电性、适合作为相变材料 | PCM、复合薄膜 |
| GeTe | 相变与存储领域的重要材料 | PCM、功能薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| BiTe 支持哪些溅射方式? | 可用于 RF 和 DC 磁控溅射。RF 常用于绝缘类薄膜。 |
| BiTe 薄膜主要用于哪里? | 热电薄膜、拓扑材料、复合多层结构、红外光电器件。 |
| 是否可以共溅射? | 可以,与 Bi₂Te₃、SbTe、GeTe 共溅射应用非常常见。 |
| 薄膜是否需要基底加热? | 轻度加热可改善晶体结构,但需避免过高温度造成组分挥发。 |
| BiTe 靶材是否容易开裂? | 高致密度靶材并结合铜/钛/铟背板可显著降低风险。 |
| 易氧化吗? | 略敏感,建议真空密封储存。 |
| 使用 Pb-free 环境时 BiTe 是否安全? | BiTe 不含 Pb,可用于严格环保要求场合。 |
| 兼容哪些基底? | Si、SiO₂、玻璃、ITO、蓝宝石等多种基底。 |
所有 BiTe 溅射靶材在出厂前均经过密度、纯度、外观及尺寸校验,确保用于高真空设备。
包装包括:
真空密封、防潮袋
多层防震缓冲材料
出口级木箱包装
确保长途运输中无氧化、无污染、无损伤。
碲化铋靶材(BiTe)凭借其在热电材料、拓扑绝缘体及光电薄膜领域中的独特性能,是先进科学研究和高技术制造中的重要材料。其高纯度、致密性与优良成膜性能可确保薄膜结构稳定、性能优异,是科研与量产应用的理想选择。
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