碲化锑靶材（SbTe）

产品简介（Introduction）

碲化锑（SbTe）是一种典型的 V–VI 族化合物半导体材料，具备高电导率、优异的热电性能以及稳定的层状晶体结构。SbTe 与其相关体系（如 Sb₂Te₃、BiSbTe）在热电材料、相变存储器（PCM）、红外探测器及低维材料研究中发挥重要作用。

作为薄膜制备用溅射靶材，SbTe 能在磁控溅射过程中形成成分均匀、结构致密的 Sb–Te 薄膜，适用于高性能热电器件、相变器件（如 PCRAM）、功能光电薄膜及多层异质结构材料的研究与开发。

产品详情（Detailed Description）

科跃材料的 SbTe 溅射靶材采用高纯锑和高纯碲原料，经真空固相反应、冷等静压（CIP）、热压烧结（HP/HIP）与精密加工工艺制备，保证材料具有高致密度、高均匀性及优良的薄膜成膜特性。

靶材可提供以下规格：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸范围：Ø25–300 mm；厚度 3–6 mm；可按图纸定制

• 密度：≥ 95% 理论密度，提高薄膜致密度与均匀性

• 制造工艺：CIP、HP/HIP、真空固相反应

• 背板结合：可采用铜（Cu）或钛（Ti）背板，支持铟焊 / 扩散焊工艺

• 形状支持：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段靶

核心优势：

• 高纯度、低杂质，薄膜成分更稳定

• 致密度高，降低颗粒脱落与膜层缺陷

• 良好化学均匀性，有利于保持薄膜电学性能一致性

• 适合多种溅射方式（RF / DC）

应用领域（Applications）

碲化锑靶材广泛应用于：

• 热电薄膜材料（Thermoelectric Thin Films）

• Sb₂Te₃ & BiSbTe 功能薄膜

• 相变存储器（PCRAM）

• 红外探测薄膜（IR Detectors）

• 光电调制薄膜

• 二维材料研究（SbTe 层状薄膜）

• 功能电子材料的异质结构构建

SbTe 系薄膜尤其在热电材料（如 Bi₂Te₃-Sb₂Te₃ 系）中应用广泛，是高性能 p 型热电器件的重要组成部分。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 SbTe 靶材出厂前均进行严格检测，包括：

• 纯度 ICP 测试

• 密度检测

• 相组成与表面检查

• 尺寸与平整度检验

包装采用：

• 真空密封铝塑袋

• 内部防震泡沫

• 外部出口级木箱

确保运输过程中的稳定性与洁净度。

结论（Conclusion）

碲化锑靶材（SbTe）凭借其优异的热电性能、稳定的层状结构、良好的成膜一致性，在热电器件、相变存储器及光电薄膜研究领域具有重要价值。高纯度、高致密度的 SbTe 溅射靶材可显著提升薄膜的电学与热电性能，是科研院所与高端制造业可信赖的薄膜材料选择。

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