您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
碲化铝（AlTe）是一种 III–VI 族化合物材料，结合了铝的轻量特性与碲化物优异的电学、光学性能。AlTe 具有适中的带隙、良好的载流子传输能力和化学稳定性，是一种在光电薄膜、半导体器件、新型材料研究等领域具有潜在价值的功能靶材。
高纯碲化铝溅射靶材在磁控溅射等薄膜沉积工艺中具有成膜均匀性好、溅射稳定、颗粒产生少等优势，适用于科研实验室与小批量制程设备。
AlTe 靶材通常采用真空烧结（Vacuum Sintering）、热压烧结（HP）或热等静压（HIP）加工，以获得高致密度和均匀微观结构。
● 纯度范围： 99.9%–99.999%（3N–5N）
● 尺寸范围： 圆形靶 Ø25–Ø300 mm、矩形靶均可定制
● 厚度： 标准 3–6 mm，可按照设备需求调整
● 密度： ≥95% 理论密度
● 外观： 均匀细腻的灰黑色化合物结构
● 背板结合（可选）： 铜背板、钛背板、铟焊，提升散热与机械稳定性
● 加工工艺： 真空烧结 / 热压 / HIP，提高靶材结构完整性与成膜稳定性
高致密 AlTe 可有效降低针孔、裂纹、颗粒等缺陷，有助于提升膜层光电性能与界面结合强度。
碲化铝靶材在多个新兴及传统光电子领域具有潜在应用：
用作电子元件中的缓冲层、界面层或阻挡层
可设计能带结构用于电学调控
红外吸收膜
光学调制薄膜
光敏材料与薄膜传感层
可与 Al、Te、GaTe、AlGaTe 等材料共溅射
用于新型光电器件结构探索
薄膜特性研究（电导率、能带调控、光学吸收）
材料物性与新型化合物研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 决定薄膜缺陷密度与光电性能稳定性 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm（可定制） | 兼容科研与量产设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶寿命与沉积速率 |
| 密度 | ≥95% 理论密度 | 高致密度减少颗粒，提高膜层均匀性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / Indium Bonding | 提升散热能力并减少热裂风险 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| AlTe | 轻质、化学稳定性好、光电性能可调 | 光电薄膜、功能层 |
| GaTe | 更高光吸收能力 | 光伏、光电探测器 |
| InTe | 电学性能优良 | 半导体器件 |
| Al₂Te₃ | 较稳定的化合物形式 | 功能薄膜与化学研究 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| AlTe 靶材适合哪种溅射方式？ | RF 与 DC 都可使用，RF 更适用于避免靶面充电。 |
| 成膜时是否需要加热基底？ | 轻度加热可提升薄膜致密度与结晶质量。 |
| 是否可与其他靶材共溅射？ | 是，常用于 Al–Te–Ga 类复合结构研究。 |
| 靶材是否需要背板？ | 建议高功率溅射使用铜或钛背板以提升散热。 |
| 薄膜光学性能是否可调？ | 可通过功率、气压、氧分压等调控。 |
| 适配哪些基底？ | Si、SiO₂、玻璃、蓝宝石、ITO 等。 |
| AlTe 会氧化吗？ | 化合物稳定性较好，建议真空密封保存。 |
所有 AlTe 靶材均经过密度、纯度、尺寸与外观检测，并附有唯一可追踪编号。
包装方式包含：
真空密封袋
防震泡沫
出口级木箱保护
确保运输过程中靶材不受污染或机械损伤。
碲化铝靶材（AlTe）凭借其轻质、稳定、可调控的光电特性，适用于多种光电薄膜与半导体应用。其高纯度与高致密度工艺确保稳定的沉积行为与一致的薄膜质量，是科研与先进制造中的可靠材料选择。
如需技术参数、报价或定制规格，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1