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硒化钨靶材（WSe，常见相态为 WSe₂）是一类典型的过渡金属硫属化物（TMDs），具有层状结构、可控带隙、高迁移率以及优异的光电性能，在二维材料（2D materials）、半导体器件、光电探测、催化及柔性电子领域应用广泛。
在磁控溅射薄膜制备中，高纯度、高致密的 WSe 靶材能够沉积出均匀、连续的薄膜，后续通过退火可以形成晶体结构良好的 WSe₂ 或其他相态，适用于科研和产业化设备。
● 纯度范围： 99.9% – 99.999%
● 常见化学计量： WSe₂（最常用）、WSe、WSe₃ 可定制
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（可定制）
● 厚度： 2–6 mm
● 理论致密度： ≥ 95%
● 制造工艺：
真空热压烧结
CIP 冷等静压
HIP 热等静压
精密机械加工与倒角处理
● 背板结构（可选）： 铜 / 钛 / 铟焊背板，提高散热性能，避免靶材翘曲
● 适配设备： DC / RF 溅射系统、多腔体薄膜设备、PLD 系统衬底层溅射
高致密度 WSe 靶材可降低颗粒喷射、减少裂纹和溅射不稳定现象，使成膜过程更加可控和稳定。
● 二维材料研究（WSe₂ 2D Materials）
用于制备单层、少层 WSe₂，具备可调带隙与强光致发光特性。
● 场效应晶体管（FET / TFT）
WSe₂ 是高性能 p 型沟道材料的代表之一。
● 光电探测器（Photodetectors）
适用于可见光与近红外探测。
● 柔性电子器件（Flexible Electronics）
低温沉积与高柔性薄膜特性使其成为柔性显示与传感器的重要材料。
● 催化、电化学材料
WSe₂ 层状结构适用于电催化、储能电极等应用。
● 半导体异质结结构
用于 WSe₂/MoS₂、WSe₂/WS₂、WSe₂/Graphene 叠层结构研究。
| 参数 | 范围/典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 高纯度降低薄膜缺陷 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配主流磁控溅射系统 |
| 厚度 | 2–6 mm | 根据靶寿命和功率需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 较高致密度提升膜层均匀性 |
| 结构 | WSe/WSe₂/WSe₃ | 不同相态对应不同应用需求 |
| 背板 | Cu/Ti/In Bonding | 提升散热效率与机械稳定性 |
| 材料 | 主要优势 | 应用场景 |
|---|---|---|
| WSe₂ | p 型 2D 材料、光电响应强 | FET、光电探测 |
| MoSe₂ | 电子迁移率高 | 2D 电子器件 |
| WS₂ | 稳定性强、带隙更宽 | 光催化、光电器件 |
| WTe₂ | 拓扑特性、超高迁移率 | 新型量子器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| WSe 靶材用于 RF 还是 DC？ | 多数情况下使用 RF 溅射更稳定。 |
| 是否可以沉积单层 WSe₂？ | 可通过溅射+退火获得层状结构。 |
| 是否容易产生颗粒？ | 高致密靶材和低功率工艺可显著减少。 |
| WSe 是否易氧化？ | 对空气略敏感，建议真空密封保存。 |
| 能否提供 WSe₂ 特定相型？ | 可以支持 H 相、1T 相等结构研究。 |
| 是否适用柔性基底？ | 能，在低温条件下可沉积柔性薄膜。 |
| 是否支持 OEM 定制尺寸？ | 支持所有溅射设备尺寸定制。 |
| 可否做 In-bonding？ | 可以，用于改善散热和靶材平整性。 |
● 单片真空独立密封
● 防静电袋 + 防震泡棉
● 出口级木箱运输
● 附质量检测报告（纯度/密度/尺寸）及批次追踪标签
硒化钨靶材（WSe）凭借其优异的半导体与光电特性，是高性能 2D 材料、光电探测、柔性电子与半导体异质结构研究中不可忽视的重要溅射材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、可定制的 WSe 靶材，适用于多种科研与产业化薄膜制备需求。
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