您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
硒化钽（TaSe）是一类典型的过渡金属硒化物化合物，具有优异的电学、光学与化学稳定性。其层状晶体结构赋予材料良好的载流子迁移率、可调能带结构以及在薄膜应用中的高均匀性。高纯 TaSe 溅射靶材广泛用于新型半导体器件、红外光电薄膜、二维材料研究以及高端功能涂层制备。
硒化钽靶材在磁控溅射中表现出优异的溅射均匀度、低颗粒（low particle）生成特性和稳定的薄膜沉积速率，适用于科研设备和先进薄膜制造平台。
硒化钽靶材一般采用真空烧结（Vacuum Sintering）、热压（HP）或热等静压（HIP）制备，以提升材料致密度并降低内部缺陷。
● 纯度： 99.9% – 99.999%（3N–5N）
● 常规结构： TaSe、TaSe₂
● 尺寸： 圆形靶 Ø25–Ø300 mm、矩形靶可定制
● 厚度： 3–6 mm（可按需加工）
● 密度： ≥95% 理论密度
● 加工方式： 真空烧结 / 热压 / HIP
● 背板选择： 铜（Cu）、钛（Ti）、铟焊（Indium Bonding）
● 外观： 均匀灰黑色层状化合物结构
高致密 TaSe 靶材可提升薄膜表面均匀性、降低颗粒，提高膜层电学与光学稳定性。
硒化钽薄膜在电子、光学与先进材料研究中具有巨大的应用价值，包括：
TaSe₂ 属典型 2D 层状材料，可用于
存储器
可调电阻材料
高迁移率薄膜晶体管（TFT）
载流子界面调控
红外吸收膜
电致变色薄膜
光敏功能材料
低反射光学涂层
作为扩散阻挡层
高导电性硒化物复合膜
介面工程涂层
二维材料 TaSe₂ 的相变研究（CDW 电荷密度波）
电学与光学性质调控
复合体系共溅射制备
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 决定薄膜缺陷密度和电学性能 |
| 密度 | ≥95% 理论密度 | 改善薄膜均匀性和成膜速率 |
| 尺寸 | Ø25–300 mm | 兼容大部分溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射寿命与功率承载能力 |
| 背板结合 | Cu / Ti / Indium | 提升散热性能，降低靶材应力 |
| 相结构 | TaSe、TaSe₂ | 可根据薄膜需求选择不同相结构 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| TaSe | 优异电学性能与稳定性 | 半导体薄膜、电极层 |
| TaSe₂ | 2D 材料特性，可相变 | 基于 CDW 的器件研究 |
| TaS₂ | 更高电子相调控能力 | 超薄电子器件 |
| MoSe₂ | 强光吸收 | 光电探测器与光电转换 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TaSe 靶材可以使用 RF 或 DC 吗？ | 两者均可，RF 对非完全导电材料更稳定。 |
| TaSe 的常见相有哪些？ | 主要是 TaSe 与 TaSe₂，后者属于 2D 层状结构。 |
| 是否可以与其他材料共溅射？ | 可以，与 Ta、Mo、Se、S 等材料可形成复合功能层。 |
| 靶材是否需要背板？ | 建议使用背板以提升散热与减少开裂风险。 |
| TaSe 薄膜主要用途是什么？ | 光电薄膜、阻挡层、电学功能层、2D 材料研究等。 |
| 是否适合高功率溅射？ | 建议适度降低功率，保持靶材温度稳定。 |
| 是否易吸湿或氧化？ | 稳定性较好，但建议真空密封存储。 |
所有 TaSe 靶材均采用：
真空密封包装
防震泡沫保护
出口级防护木箱
确保运输过程中无污染、无机械损伤，并附唯一批次标识。
硒化钽靶材（TaSe）凭借其独特的层状结构、电学优势和光电性能，在半导体、光电子、二维材料与先进薄膜制备领域具有广阔应用前景。高纯、高致密 TaSe 靶材可确保稳定成膜与优异薄膜质量，是科研与工业生产的理想选择。
如需技术咨询或获取报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1