硒化铋靶材（BiSe）

产品简介（Introduction）

硒化铋（BiSe）是一类具有优异光电特性与拓扑相关特性的 III–VI 族化合物材料，近年来在红外光电器件、热电材料以及新型拓扑绝缘体研究中受到越来越多关注。BiSe 具有较高的光吸收能力、良好的电导调控性质以及稳定的化学特性，适合作为溅射靶材用于各类功能薄膜沉积。

高纯 BiSe 溅射靶材（99.9%–99.999%）具有优异的溅射稳定性、低颗粒生成（Low Particle）、良好的成膜均匀性，适用于科研级真空镀膜系统及功能薄膜制备设备。

产品详情（Detailed Description）

BiSe 靶材通常采用真空烧结（Vacuum Sintering）、热压（Hot Pressing）或热等静压（HIP）制备，以提升致密度、化合物均匀性及薄膜品质。

● 化学式： BiSe、Bi₂Se₃（常见拓扑结构）
● 纯度： 99.9%–99.999%（3N–5N）
● 尺寸： Ø25–Ø300 mm，矩形靶可定制
● 厚度： 3–6 mm（可调整）
● 密度： ≥95% 理论密度
● 工艺： Vacuum Sintering / HP / HIP
● 背板结合： Cu / Ti / Indium Bonding
● 外观： 均匀深灰至近黑色细密化合物结构

通过优化工艺制备的高致密 BiSe 靶材，可有效降低针孔、裂纹与大颗粒，提高薄膜的光电性能与界面稳定性。

应用领域（Applications）

硒化铋在红外光电、拓扑材料研究以及功能薄膜制备中具有重要应用价值。

● 红外光电器件

• 中红外吸收薄膜

• 高灵敏度光电探测器

• 光敏元件与红外光学模块

● 拓扑绝缘体材料

Bi₂Se₃ 是最经典的拓扑绝缘体之一，常用于：

• 量子材料研究

• 自旋电子学（Spintronics）

• 超导–拓扑界面研究

• 低维材料结构调控

● 热电材料

BiSe 与相关 Bi–Se 体系具有良好的热电性能，可用于：

• 热电转换研究

• 微型温差发电器件

● 薄膜功能层

• 半导体界面层

• 光学吸收膜

• 调控电子结构的复合薄膜

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 BiSe 靶材均采用：

• 真空密封薄膜保护

• 防静电包装

• 四周防震泡沫

• 国际运输专用加固木箱

确保靶材在运输与储存过程中完全避免污染与机械损伤。

结论（Conclusion）

硒化铋靶材（BiSe）凭借其独特的光电性能、拓扑材料特性以及优异的薄膜沉积稳定性，成为红外光电薄膜、先进功能材料及量子研究领域的重要靶材选择。高纯、高致密 BiSe 靶材可显著提升薄膜均匀性、光电响应与器件性能。

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