硫化硅靶材(SiS)

硫化硅靶材(SiS)

产品简介(Introduction)

硫化硅(SiS)是一种由硅与硫形成的化合物材料,具有独特的光学、电学与化学特性。SiS 属于层状或半层状结构体系之一,在红外光学、二维材料研究、光电器件、薄膜工程以及功能性涂层制备中具有潜在应用价值。

高纯 SiS 溅射靶材可用于磁控溅射与离子束沉积(IBD)等薄膜过程,能够沉积出具有良好致密度、均匀性与可控光电性能的薄膜。其稳定的溅射行为和低颗粒(Low Particle)特性使其适用于科研与高端材料开发。


产品详情(Detailed Description)

硫化硅靶材通常通过真空烧结(Vacuum Sintering)、热压(HP)或热等静压(HIP)方法制得,以确保化合物均匀性与致密度。

化学式: SiS
纯度: 99%–99.9%(2N–3N)
密度: ≥85–95% 理论密度(根据工艺不同略有差异)
尺寸: Ø25–Ø300 mm,矩形靶可按需求定制
厚度: 3–6 mm,特殊尺寸可定制
工艺: Vacuum Sintering / Hot Pressing / HIP
背板(可选): Cu / Ti 背板 或 Indium bonding
外观: 灰黑色或深灰色致密非金属化合物表面


应用领域(Applications)

硫化硅(SiS)薄膜在电子、光学、能源与新材料领域展现出广泛研究价值:

● 光学与红外材料

  • 红外透射薄膜

  • 中红外光学功能层

  • 滤光片与调控薄膜

● 二维材料研究(2D Materials)

  • SiS 作为层状材料,可用于 2D 电子与光电器件

  • 能带结构可调的二维功能薄膜

  • 纳米电子学中的新型材料研究

● 功能性涂层

  • 防腐蚀层

  • 光吸收薄膜

  • 多层结构中的界面层

● 电子与半导体应用

  • 电阻薄膜

  • 固体润滑层

  • 与硫化物、硅基材料共溅射形成复合膜


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型范围 说明
纯度 99–99.9% 取决于薄膜洁净度要求
密度 85–95% TD 密度越高,薄膜越致密
尺寸 Ø25–300 mm 可根据设备定制
厚度 3–6 mm 决定靶寿命与溅射均匀性
背板选择 Cu / Ti / Indium Bonding 提升散热并降低热应力

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用领域
SiS 红外性能、层状结构 光电薄膜、2D 材料
SiSe 带隙可调、光学响应好 光电探测与红外器件
SiTe 更佳红外吸收 中远红外光学组件
MoS₂ 经典二维材料 电子器件、润滑薄膜

常见问题(FAQ)

问题 答案
SiS 靶材可用于 RF 溅射吗? 可以,SiS 属于非金属化合物,适合 RF。
SiS 是否易分解? 在高温或湿度较高环境中有分解趋势,需密封保存。
是否支持定制尺寸? 支持全尺寸定制,包括圆形与矩形靶材。
溅射薄膜会出现针孔吗? 高致密靶材可显著降低针孔与颗粒。
可否与其他硫化物共溅射? 可以,与 Si、S、MoS₂、WS₂ 等材料常用于复合薄膜设计。

包装与交付(Packaging)

  • 真空密封包装

  • 干燥剂密封以减少分解风险

  • 防震泡棉加固

  • 出口级木箱包装

  • 每片靶材附检测报告与批次编号


结论(Conclusion)

硫化硅靶材(SiS)凭借其独特的光电性能、层状结构潜力和优良的化合物特性,在光学薄膜、二维材料、电学功能涂层和新材料研究中具有重要价值。高致密高纯度 SiS 靶材可确保稳定的成膜质量,是科研与高端制造的理想材料选择。

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