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硫化锑(SbS)是一类具有独特电学、光学与热学特性的化合物材料,属于典型的窄带隙半导体体系。SbS 在光电探测、热电材料、红外吸收薄膜、光通信以及新型二维材料研究中具有重要研究价值。其薄膜具有可调的能带结构、优良的光吸收特性以及一定的热稳定性,适用于多种先进薄膜工艺。
高纯 SbS 溅射靶材可用于 RF 或 DC 磁控溅射沉积,能够获得均匀、致密且具有良好光电性能的薄膜,是科研机构、材料实验室与高端制造环境的重要化合物靶材。
硫化锑靶材采用真空烧结(Vacuum Sintering)、热压(Hot Pressing)或热等静压(HIP)工艺制备,以确保化合物结构的稳定性与致密度。
● 化学式: SbS、Sb₂S₃(常见晶型结构)
● 纯度: 99%–99.999%(2N–5N 可定制)
● 密度: ≥90–95% 理论密度
● 尺寸: Ø25–Ø300 mm,支持矩形靶定制
● 厚度: 3–6 mm,特别尺寸可定制
● 背板选项: 铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo),可铟焊接
● 外观颜色: 深灰–黑色,致密均匀化合物表面
● 工艺特性: 低颗粒(Low Particle)、良好溅射稳定性
高致密 SbS 靶材可显著减少溅射颗粒、提升薄膜光学与电学一致性。
硫化锑在红外光学、光电功能材料、热电器件与二维材料方向均具有广泛应用:
红外吸收层(IR absorption layer)
光敏薄膜(Photoconductive films)
近红外(NIR)与可见光响应材料
Sb–S 系化合物具有一定热电性能,可用于:
小型热电模块
热电薄膜研究
抗反射与吸收薄膜
光通信滤光层
多层结构中的调控膜层
Sb₂S₃ 在二维材料研究中具备潜在应用,用于:
薄层光电器件
新型半导体结构
载流子调控材料的探索
| 参数 | 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99%–99.999% | 纯度越高,薄膜缺陷越少 |
| 密度 | ≥90–95% TD | 高致密性提升膜层质量 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 可适配科研与工业溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 可根据设备与功率需求定制 |
| 背板结合 | Cu / Ti / Mo / Indium | 提升散热并减少热应力 |
| 稳定性 | 化学稳定性中等 | 需避免高湿度、强氧化环境 |
| 材料 | 特点 | 常见用途 |
|---|---|---|
| SbS | 光电性能好,窄带隙 | IR 薄膜、吸收材料 |
| Sb₂S₃ | 光伏与光探测热门材料 | 太阳能薄膜、光通信 |
| SbTe | 更强热电性能 | 热电器件、存储材料 |
| Bi₂S₃ | 高光吸收 | 光电探测、光催化 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SbS 靶材适合 RF 还是 DC 溅射? | 一般使用 RF,但在特定条件下 DC 亦可使用。 |
| 是否能定制 Sb:S 的化学计量比? | 可以,包括 SbS、Sb₂S₃ 等多种化学计量。 |
| SbS 是否易吸湿? | 略有吸湿性,需密封储存。 |
| 是否支持高纯度 5N 靶材? | 可按需定制。 |
| SbS 溅射薄膜的主要特性? | 良好的光吸收能力、可调电阻与稳定结构。 |
| 可否与其他材料共溅射? | 可以,与 S、Sb₂Se₃、SbTe 等组合广泛使用。 |
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每片附带 COA 和批次追踪编号
硫化锑靶材(SbS)因其优异的光电性能与良好薄膜稳定性,在红外探测、光通信、功能薄膜以及半导体材料研究中成为重要材料。高纯、高致密的 SbS 靶材可显著提升薄膜质量,是科研和工业应用的优质选择。
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