硅化钽靶材(TaSi)

硅化钽靶材(TaSi / TaSi₂)

产品简介(Introduction)

硅化钽(TaSiₓ)是一类重要的金属硅化物材料,兼具 优异的高温稳定性、良好的导电性、较低电阻率、抗扩散能力与优异的耐腐蚀性。常见工业相态为 TaSi₂,其在半导体器件、扩散阻挡层、薄膜电阻、硬质涂层以及高温电子结构中具有广泛应用。

作为磁控溅射靶材,TaSi 能够沉积出致密、稳定、均匀的金属硅化物薄膜,适用于先进半导体制造、功能涂层与多层复合结构研究。


产品详情(Detailed Description)

纯度范围: 99.5% – 99.99%
常见相态: TaSi、TaSi₂(最常用)、Ta-rich / Si-rich 可定制
尺寸范围: Ø25–300 mm(支持矩形、方形)
厚度: 2–6 mm 或根据设备要求定制
致密度: ≥95% 理论密度
制造工艺:
– 高温真空热压烧结(Hot Pressing)
– 冷等静压(CIP)
– 热等静压(HIP)提升致密度
– 精密 CNC 加工与倒角
– 表面精磨 / 超声清洗去除微颗粒
背板结构: Cu、Ti、Al 或铟焊(Indium Bonding)
外观: 深灰—金属灰色,致密陶瓷金属间相质感
适配设备: RF / DC 磁控溅射、多靶位 PVD 系统、离子束溅射

TaSi 靶材在高功率沉积中仍具有良好抗裂性和溅射稳定性,适用于连续运行的产业化制程。


应用领域(Applications)

扩散阻挡层(Diffusion Barriers)
TaSi₂ 是高性能阻挡层材料,可用于防止 Cu/Si、Cu/Dielectric 互扩散。

半导体工艺金属化(Semiconductor Metallization)
用于接触层、栅极材料、互连结构中的耐扩散金属薄膜。

薄膜电阻器(Thin Film Resistors)
TaSi₂ 可形成稳定且高温性能良好的电阻薄膜。

硬质与防护涂层(Hard & Protective Coatings)
提升耐腐蚀性、耐磨性与高温机械强度。

红外与高温光学薄膜
TaSi 薄膜具备可控光学特性,可用于红外窗口与功能光学膜。

多层复合/纳米结构薄膜(Multilayer Films)
可与 TaN、TiSi₂、MoSi₂、TaC 等叠层使用,增强电学与耐热性能。


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 典型值 说明
纯度 99.5%–99.99% 纯度越高薄膜电学性能越稳定
直径 Ø25–300 mm 兼容主流溅射设备
厚度 2–6 mm 可按靶寿命与工艺条件定制
致密度 ≥95% 减少颗粒、提升薄膜平整度
成分 TaSi / TaSi₂ / Ta-rich / Si-rich 适配不同应用需求
背板结构 Cu / Ti / In bonding 提升散热与机械强度

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用场景
TaSi₂ 电阻率低、耐扩散、稳定性强 半导体、阻挡层
TiSi₂ 超低电阻 金属化互连、接触层
MoSi₂ 耐高温氧化 高温防护膜
TaN 优异化学稳定性 电极/阻挡层

常见问题(FAQ)

问题 答案
TaSi 靶材适合 DC 还是 RF? 两者皆可,DC 常用于金属硅化物大面积镀膜。
溅射时容易裂吗? 高致密靶材 + 背板可减少裂纹风险。
TaSi 会粉化吗? 相比陶瓷更稳定,粉化概率低。
可否调节 Si 含量? 支持 Si-rich 或 Ta-rich 定制。
能否做 polished 版本? 可提供单面/双面精抛光靶材。
是否支持尺寸图纸定制? 可完全按照客户图纸加工。

包装与交付(Packaging)

● 单片独立真空密封
● 防静电包装 + 防震泡棉
● 出口级木箱运输
● 随货提供纯度报告、尺寸检测报告、批次追踪编号


结论(Conclusion)

硅化钽靶材(TaSi / TaSi₂)以其卓越的耐扩散性、电导性与高温稳定性,在半导体制造、薄膜电阻器、硬质涂层以及光电功能膜等领域具有重要作用。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、全规格可定制的 TaSi 系列靶材,满足研发与量产应用需求。

如需报价或更多技术参数,请联系:
📩 sales@keyuematerials.com