硅化镍靶材（NiSi）

产品简介（Introduction）

硅化镍（NiSi）是一类重要的金属硅化物材料，以其优异的电导率、热稳定性和与硅基材料的优良兼容性而广泛用于半导体工艺、薄膜金属化、电极材料以及先进互连结构。NiSi 具有低接触电阻、良好界面稳定性、杰出的抗扩散性能，是制备高性能集成电路（IC）金属硅化层的重要材料。

作为溅射靶材，NiSi 具有高纯度、稳定溅射速率、低颗粒生成（Low Particle）与出色膜层均匀性，适用于 RF 和 DC 磁控溅射系统，广泛应用于研究级与量产级半导体加工。

产品详情（Detailed Description）

硅化镍靶材通常通过真空熔炼、热等静压（HIP）、热压（HP）等工艺制备，以获得高致密化、均匀成分分布与优良溅射性能。

● 化学式： NiSi
● 可定制相结构： NiSi、Ni₂Si、NiSi₂
● 纯度： 99.9%–99.999%（3N–5N）
● 密度： ≥95% 理论密度
● 尺寸： Ø25–Ø300 mm，矩形靶可按需定制
● 厚度： 3–6 mm（支持特殊厚度）
● 制造工艺： Vacuum Melting / HP / HIP
● 背板结合（可选）： 铜（Cu）、钼（Mo）、钛（Ti），支持铟焊接
● 外观： 银灰至深灰色金属光泽，致密细腻表面

高致密 NiSi 靶材可显著降低针孔、裂纹与颗粒，提高薄膜密度与界面稳定性。

应用领域（Applications）

NiSi 在半导体制程及先进电子材料领域中具有核心地位：

● 半导体金属化与接触层

NiSi 是 CMOS 工艺中广泛使用的低电阻硅化层材料：

• nMOS / pMOS 源漏区接触

• 深亚微米互连结构

• 高集成度器件的低接触电阻金属化层

● 电极、界面与阻挡层

• 电极金属薄膜

• 界面层与扩散阻挡层

• 与 Si/SiGe/HKMG 工艺兼容

● 功能薄膜与微电子器件

• 精密电阻薄膜

• 热敏薄膜与传感器

• 薄膜加热元件

• 金属硅化物复合薄膜研究

● 先进材料科研

• Ni–Si 相图与相变研究

• NiSi₂、Ni₂Si 等相在电子结构中的应用

• 与 Ti、Co、W 等金属体系的共溅射复合材料

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封袋包装

• 干燥剂保护

• 防静电与防震缓冲材料

• 出口级加固木箱

• 每片靶材附 COA 和唯一批次编号

确保镍硅靶材在运输与储存过程中保持最佳状态。

结论（Conclusion）

硅化镍靶材（NiSi）凭借其低接触电阻、与硅基工艺的高度兼容性及优异的热稳定性，是半导体行业极为重要的金属硅化物靶材。高纯度、高致密 NiSi 靶材可显著提升薄膜电学性能，是科研与 IC 制造的关键材料。

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