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硅化铌(NbSi)是一类重要的金属硅化物材料,兼具金属的导电性与陶瓷材料的高硬度、高熔点和优异的耐腐蚀性。NbSi 在高温结构材料、微电子薄膜、电极层、扩散阻挡层及航空航天领域广泛应用。其化学稳定性强、抗氧化能力优良,是制备高可靠性薄膜结构的关键材料之一。
作为磁控溅射靶材,NbSi 能沉积成分均匀、致密度高、附着力优异的 Nb–Si 合金薄膜,使其在半导体器件金属化、超导材料研究、高温薄膜、功能保护层等领域表现突出。
苏州科跃材料科技有限公司采用高纯铌粉与硅粉为原料,通过真空固相反应、冷等静压(CIP)、热压烧结(HP/HIP)、精密加工等工艺制备 NbSi 靶材,使其具有高致密度、低杂质、高稳定性与优良的机械完整性。
纯度:99.5% – 99.9%(2N5 – 3N)
成分可定制:NbSi、NbSi₂、Nb₅Si₃ 等
尺寸:Ø25–300 mm(圆靶);矩形靶可定制
厚度:3–10 mm
密度:≥ 95% 理论密度
工艺流程:CIP → 真空固相反应 → HP/HIP → 表面精磨
背板选择:Cu / Ti 背板,支持铟焊与扩散焊
形态:圆片靶、方靶、阶梯靶、多段靶皆可提供
高熔点、优异热稳定性
良好导电性,适合集成电路金属化
强耐腐蚀性,适用于恶劣工况
膜层附着力好,适合多层结构沉积
高致密度降低颗粒风险,提高膜层均匀性
NbSi 薄膜兼具低电阻与高热稳定性,可用于:
金属化薄膜
扩散阻挡层(Barrier Layer)
电极层
高温互连结构
Nb–Si 系材料具有优异抗氧化能力,用于:
高温防护膜
涡轮、航空材料相关薄膜
耐高温功能层
某些 Nb–Si 化合物具有超导特性,适用于:
超导薄膜
量子器件
低温电子学
NbSi 的高硬度与耐腐蚀性使其可用于:
工具强化层
机械磨损保护膜
与 TiN、SiO₂、MoSi₂ 等材料共同构建金属/陶瓷复合膜层。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.5–99.9% | 杂质越低,薄膜可靠性越高 |
| 成分 | NbSi / NbSi₂ / Nb₅Si₃ | 可根据应用调控电阻率与热稳定性 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–10 mm | 决定靶材寿命与溅射均匀性 |
| 密度 | ≥ 95% 理论密度 | 提升薄膜致密性 |
| 背板 | Cu / Ti / Indium bonding | 提升散热、防止靶材开裂 |
| 工艺 | CIP / HP / HIP | 强化结构完整性与均匀性 |
| 材料 | 优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| NbSi | 高温稳定、耐腐蚀 | 功能薄膜、阻挡层、结构膜 |
| NbSi₂ | 更低电阻率、抗氧化性更强 | 微电子金属化薄膜 |
| Nb₅Si₃ | 极强耐高温性,高熔点 | 航空航天功能涂层 |
| MoSi₂ | 抗氧化性优异 | IGBT、加热元件薄膜 |
| TiSi₂ | 低电阻率 | CMOS 接触层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| NbSi 靶材适用于 RF 还是 DC? | 均可,DC 适合大功率沉积,RF 适合精确控膜。 |
| 靶材是否脆? | 属于金属间化合物,略脆,但经 HIP 处理后结构稳定性好。 |
| 是否能定制不同 Nb:Si 比例? | 可以,根据电阻率与工艺要求定制。 |
| 薄膜是否需要退火? | 在某些半导体结构中建议进行退火以改善界面特性。 |
| 是否可用于超导研究? | 是,Nb–Si 某些相具有超导特性。 |
| 是否支持小批量? | 支持一片起订。 |
| 最大可提供多大靶材? | Ø300 mm,并可提供矩形大靶。 |
单片真空密封
内部多层泡沫与固定结构
外层出口级硬箱
附 ICP 杂质分析、密度检测、尺寸报告
确保靶材在运输过程中不受污染或损伤。
硅化铌靶材(NbSi)凭借其高熔点、优异的耐腐蚀性、可控电学特性与强热稳定性,在半导体制造、高温材料、超导研究与复杂薄膜结构中具有重要价值。苏州科跃材料可提供多种成分、纯度与尺寸的 NbSi 溅射靶材,适用于科研与工业量产。
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📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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