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硅化镁（MgSi 或 Mg₂Si）是一种典型的半导体硅化物材料，具有中等带隙、良好热稳定性、低密度、环保特性以及可调的热电性能。在薄膜技术领域，MgSi 因其优异的热电性能、光学特性和半导体行为，被广泛用于热电器件、红外探测、功能薄膜结构以及新型电子材料研究。
使用 MgSi 溅射靶材可以稳定制备结构致密、组成均匀、可控性强的薄膜，适合科研级应用与新材料开发。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 MgSi 溅射靶材，满足不同仪器和制程需求。
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
常规组成：Mg₂Si（最常用）
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度：3–6 mm（可按需调整）
形状：圆靶、矩形靶材、阶梯靶、异形靶
制造工艺：热压（HP）、CIP/HIP、真空烧结
致密度：≥95% 理论密度
背板：可提供 Cu / Ti 背板 + 专业铟焊（Indium Bonding）
热电性能优良，适合薄膜型热电材料研究
中等禁带宽度（Eg ≈ 0.6–0.7 eV）
低密度、无毒环保
稳定性好、不易分解
可用于多层复合薄膜结构设计
硅化镁（MgSi）靶材常用于以下高技术领域：
Mg₂Si 是著名的环保型热电材料之一，适用于薄膜热电器件、温差发电领域。
MgSi 具有良好的红外响应特性，可用于 IR 器件功能层。
用于界面层、电极缓冲层、功能过渡层等。
可与 Si、MgO、SiO₂、Al₂O₃ 等共溅射构建特殊功能膜。
包括能带调控、晶体结构研究、薄膜热电性能分析。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–4N | 高纯度可减少杂质、提升薄膜稳定性 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配各种溅射装置 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命与成膜均匀性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 高致密性可降低颗粒 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 加强散热与机械稳定性 |
| 材料 | 特点 | 常见应用 |
|---|---|---|
| MgSi（Mg₂Si） | 环保热电材料、红外响应 | 热电薄膜、IR 器件 |
| MgO | 高介电、高温稳定 | 光学膜、电绝缘层 |
| SiGe | 高性能热电材料 | 热电器件、高端芯片 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| MgSi 靶材适合 RF 或 DC 溅射？ | 两种方式均可，视设备与膜层要求而定。 |
| MgSi 是否易氧化？ | 略有敏感，建议真空密封储存。 |
| 能否定制 Mg:Si 比例？ | 是的，可根据科研需求提供特殊计量比。 |
| MgSi 薄膜是否适用于热电研究？ | 是，Mg₂Si 是常用热电材料体系。 |
| 是否提供 ICP 检测、密度报告？ | 可以按需提供。 |
| 是否支持背板铟焊？ | 可提供 Cu/Ti 背板与专业 Indium Bonding。 |
真空密封包装
内置干燥剂防潮
外部防震加固
木箱或出口级纸箱包装
每片靶材附唯一追踪编号与质检记录
硅化镁（MgSi）靶材凭借其环保特性、稳定性与热电潜力，已成为热电薄膜、红外光学与半导体应用的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高致密、高纯度、多规格可定制的 MgSi 溅射靶材，为科研与高级制造提供可靠的材料支持。
如需报价与技术支持，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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