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硅化铁(FeSi)是一类重要的金属硅化物材料,具有优异的热稳定性、机械强度、耐腐蚀性及良好的电学与磁学特性。作为一种高性能溅射材料,FeSi 在微电子、磁性薄膜、功率器件、热电材料和功能结构涂层中得到广泛应用。
FeSi 薄膜具有稳定的电阻率、可调磁性以及良好的界面兼容性,因此也是半导体工艺中常用于电阻薄膜、缓冲层、扩散阻挡层,以及金属硅化物复合结构研究的重要材料。
高纯 FeSi 溅射靶材具有高致密度、低杂质含量、稳定溅射速率和低颗粒(Low Particle)特性,可用于科研级与工业级镀膜设备。
硅化铁靶材通过真空熔炼、热压烧结(Hot Pressing)、热等静压(HIP)等工艺制备,以获得均匀的化学组成与优异致密度。
● 化学式: FeSi、FeSi₂(可根据需求定制)
● 纯度: 99%–99.999%(2N–5N)
● 密度: ≥95% 理论密度
● 尺寸: Ø25–Ø300 mm 圆靶;可定制矩形靶
● 厚度: 3–6 mm(可定制更薄/更厚)
● 工艺: Vacuum Melting / Hot Pressing / HIP
● 背板选项: Cu / Mo / Ti / Al,均可提供铟焊接
● 外观: 金属灰–深灰色致密合金表面
高致密 FeSi 靶材可确保稳定溅射、减少颗粒、提升膜层均匀性与功能表现。
硅化铁薄膜因其优异的磁性、电学与热学性能,在多个高科技领域中具有广泛用途:
FeSi 和 FeSi₂ 是常见的软磁薄膜材料,可用于:
磁传感器
电磁屏蔽层
自旋电子学薄膜
核心磁性器件研究
扩散阻挡层
金属硅化物复合结构
精密电阻薄膜
功率器件薄膜材料
Fe–Si 系材料具有热电性能,可用于:
热电薄膜
热管理功能层
耐腐蚀薄膜
结构强化薄膜
多层复合功能结构(如 FeSi/FeNi、FeSi/TiN 等)
| 参数 | 典型范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99–99.999% | 影响薄膜电学与磁学性能 |
| 密度 | ≥95% TD | 致密靶材可降低颗粒产生 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 满足主流溅射腔体需求 |
| 厚度 | 3–6 mm | 可根据沉积寿命要求定制 |
| 相结构 | FeSi / FeSi₂ | 不同相适用于不同电子与磁性应用 |
| 背板 | Cu / Mo / Ti | 提升散热、减少热应力开裂 |
| 材料 | 特点 | 典型用途 |
|---|---|---|
| FeSi | 可调磁性、稳定电阻率 | 磁性薄膜、电阻薄膜 |
| FeSi₂ | 半导体特性 | 热电材料、电子薄膜 |
| NiSi | 低接触电阻 | CMOS 金属硅化层 |
| CoSi₂ | 高导电性 | 半导体互连结构 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| FeSi 薄膜是否具有磁性? | 取决于成分与工艺,FeSi 薄膜常表现为软磁或弱磁性质。 |
| 使用 RF 还是 DC 溅射? | FeSi 导电性良好,可使用 DC 或 RF。 |
| 能否根据比率定制 Fe:Si? | 可以定制 FeSi、FeSi₂ 等多种化学计量比。 |
| 是否需要背板? | 大尺寸靶材建议 Cu 或 Mo 背板提高散热。 |
| 薄膜应力如何? | 致密靶材 + 优化工艺可显著减少薄膜应力。 |
| 如何保存靶材? | 干燥密封保存,避免氧化与潮湿环境。 |
真空密封 + 防潮包装
防静电、防震泡棉保护
出口级木箱运输
随附 COA 与唯一批次号
确保产品在运输中保持完好、无污染。
硅化铁靶材(FeSi)以其优异的电学、磁学以及结构稳定性,在微电子、磁性薄膜、热电材料与先进器件制造中具有重大价值。高纯、高致密 FeSi 靶材可显著提升薄膜性能,是科研与工业应用的理想选择。
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