氮化锗靶材（GeN / GeNₓ）

产品简介（Introduction）

氮化锗（GeNₓ）是一类新型半导体功能材料，兼具 可调带隙、良好的化学稳定性、优异的界面兼容性以及可控的电学与光学性能。GeN 薄膜在红外探测、光电器件、存储材料及新型半导体结构研究中受到越来越多关注。

作为磁控溅射靶材，氮化锗可用于沉积 成分均匀、结构致密、应力可调的氮化物薄膜，适合科研探索型应用以及新一代光电与电子器件开发。

产品详情（Detailed Description）

• 化学式： GeN / GeNₓ（常见为非化学计量比）

• 纯度： 99.9% – 99.99%

• 外观： 深灰色至黑灰色陶瓷/半导体质感

• 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持方形、矩形、异形定制）

• 厚度： 2–6 mm（可定制）

• 致密度： ≥95% 理论密度

• 制造工艺：

  • 高纯锗基材料反应氮化

  • 冷等静压（CIP）或热压烧结（HP）

  • 真空/惰性气氛烧结

  • 精密研磨、倒角与超声清洗

• 背板选项： Cu / Ti / 铟焊（Indium Bonding）

• 适用工艺： RF 磁控溅射（推荐）、反应溅射（Ge + N₂）、离子束沉积

说明：GeN 多为半导体/弱导电型靶材，实际溅射方式取决于 N 含量与电导率，科研应用中以 RF 为主。

应用领域（Applications）

• 红外与光电器件（IR & Optoelectronics）
  用于红外探测薄膜、光敏层与功能光学结构。

• 新型半导体材料研究
  GeNₓ 薄膜可作为 Si-compatible 半导体体系的拓展材料。

• 存储与功能薄膜（Memory & Functional Films）
  用于阻变存储、相变或界面调控相关研究。

• 扩散阻挡与界面层
  改善 Ge/金属或 Ge/介质界面稳定性。

• 科研与前沿材料探索
  用于低维材料、氮化物半导体及多层结构研究。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

• GeN 靶材适合 DC 还是 RF？
  多数情况下推荐 RF，具体取决于电导率。

• GeN 是否为固定化学计量？
  通常为 GeNₓ，N 含量可通过工艺调控。

• 是否支持小尺寸科研靶材？
  支持 ≤1 英寸科研规格。

• 是否建议使用背板？
  建议用于中高功率或长时间沉积。

包装与交付（Packaging）

• 单片真空密封

• 防静电袋 + 防震泡棉

• 出口级木箱

• 提供纯度、尺寸与批次追溯文件

结论（Conclusion）

氮化锗靶材（GeN / GeNₓ）作为新兴的氮化物半导体材料，在红外光电、新型电子器件及前沿材料研究中具有广阔应用前景。苏州科跃材料科技有限公司可提供 高纯度、高致密度、全规格定制的 GeN 靶材，支持从基础研究到器件验证的多样化需求。

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