氧化铋铁靶材(BiFeO)

氧化铋铁靶材(BiFeO)

产品简介(Introduction)

氧化铋铁靶材(BiFeO)是一种功能性复合氧化物材料,具有铁电性、压电性、磁电耦合效应等多重特性,被广泛应用于新型存储器、传感器、微机电系统(MEMS)以及光电材料等领域。由于铋(Bi)与铁(Fe)的协同作用,BiFeO 兼具良好的电学性能、介电常数和磁电耦合特性,是多铁性薄膜研究的重要材料。

在薄膜制备中,BiFeO 靶材可用于制备 BiFeO₃、BiₓFe_yO_z 等多铁性或铁电薄膜,是实验室研究与器件开发中的常用材料之一。


产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司生产的氧化铋铁靶材(BiFeO)采用高纯 Bi、Fe 氧化物粉末,通过冷等静压(CIP)、真空热压(Hot Pressing)或 HIP 致密化工艺制备,以确保靶材具有高纯度、高致密度和稳定的溅射性能。
靶材组织均匀,适用于 RF / DC 磁控溅射及脉冲溅射等 PVD 工艺。

常规规格:

  • 纯度(Purity):99.9%(3N)– 99.99%(4N)

  • 尺寸(Size):直径 25–300 mm,支持方靶与阶梯靶

  • 厚度(Thickness):3–6 mm(支持定制)

  • 密度(Density):≥ 97–99% 理论密度(T.D.)

  • 工艺(Process):CIP + 热压 / 热等静压致密化

  • 背板(Bonding):Cu、Ti、Mo 背板 + 铟焊(In bonding)

材料性能:

  • 卓越的铁电性能和磁电耦合特性

  • 化学稳定性强、结晶性易控

  • 高致密度有利于获得均匀薄膜

  • 成膜附着性好、膜层重复性佳


应用领域(Applications)

  • 多铁性薄膜(BiFeO₃ 等)

    • 磁电耦合材料

    • 新型非易失存储器(FeRAM、ME-RAM)

  • 铁电薄膜

    • 电容器

    • 储能器件

  • 光电功能薄膜

    • 光电探测器、光催化材料

  • MEMS 器件

    • 压电薄膜、微型传感器

  • 科研用途

    • 先进功能材料

    • 薄膜相结构调控研究


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 说明
纯度 99.9% – 99.99% 靶材纯度越高,薄膜缺陷越少
密度 ≥ 97–99% T.D. 致密度提升薄膜均匀性
直径 25–300 mm 支持全尺寸定制
厚度 3–6 mm 厚度可调节溅射寿命与沉积速率
背板结合 Cu / Ti / Mo / In 提升散热能力与靶材稳定性

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用
BiFeO 多铁性材料,兼具铁电与磁性 先进存储器、磁电耦合器件
Bi₂O₃ 高介电常数、光学应用多 透明导电膜、光学薄膜
Fe₂O₃ 高磁性 磁性薄膜、传感器
BiMnO₃ 强铁电性与磁性 多铁性研究

常见问题(FAQ)

问题 答案
BiFeO 靶材主要用于哪些薄膜? 多铁性薄膜、铁电薄膜、光电薄膜。
是否可以用于制备 BiFeO₃ 薄膜? 是的,这是该靶材最典型应用之一。
支持哪些溅射方式? RF、DC、脉冲溅射均可。
是否能提供不同配比的 BiₓFe_yO_z? 可以定制各种成分比。
能否预装背板? 支持 Cu、Ti、Mo 背板及铟焊。
是否适合高功率溅射? 高致密靶材可稳定支持。
是否可提供检测报告? 每批次均随附分析报告及批号。

包装与交付(Packaging)

  • 靶材单独真空封装

  • 外层防震泡沫保护

  • 国际出口级木箱包装

  • 附带 COA、检测记录及唯一批号


结论(Conclusion)

氧化铋铁靶材(BiFeO)作为典型多铁性功能材料,是研究与开发先进薄膜器件不可或缺的重要靶材。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度的 BiFeO 靶材,并支持尺寸、成分与背板全面定制,适用于各类科研与工业应用。

如需报价或技术支持,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com