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镍钒靶材(NiV)由镍(Ni)与钒(V)组成,是一种兼具优异电学性能、良好延展性、稳定耐腐蚀性与热稳定性的金属功能合金靶材。Ni 的化学稳定性与延展性结合 V 的强化能力,使得 NiV 薄膜具有更高的硬度、优异的附着性以及更均匀的微结构。
NiV 是集成电路、磁记录材料、阻挡层、电极膜以及光学结构膜中的重要材料之一,尤其适用于要求纯净度高、颗粒率低、结构稳定的高端薄膜制程。
镍钒靶材使用高纯镍粉与钒粉混合后,经冷等静压(CIP)成型,再通过真空烧结(Vacuum Sintering)或热等静压(HIP)得到高致密度成品。NiV 材料具有低颗粒、稳定溅射速率、均匀成分分布等特点,适合高功率 DC/RF 磁控溅射。
纯度(Purity):99.9%–99.99%
典型成分比例(Composition):
Ni93V7(最常用于集成电路)
Ni90V10
Ni80V20
(可根据客户需求定制)
直径(Diameter):Ø25–Ø300 mm
厚度(Thickness):3–6 mm
致密度(Density):≥95–98% TD
制造工艺(Process):CIP + 真空烧结 / HIP
背板(Bonding):Cu / Ti 背板或铟焊工艺可选
电学性能稳定
高硬度、高强度
成膜颗粒率低、表面平整
膜层附着性强
耐腐蚀性优良
适用于高温与反应性溅射
镍钒靶材广泛用于半导体、磁学材料、光学膜以及耐腐蚀结构膜领域,是高端电子器件制造中的关键材料。
阻挡层 / 粘附层
金属电极结构膜
铝互连层中的粘附层
集成电路金属化工艺
磁记录薄膜
磁头材料
自旋电子结构膜(Spintronics)
反射层
光学补偿层
多层结构保护膜
耐腐蚀结构膜
机械强化膜
耐磨薄膜
金属间化合物研究
Ni-V 氧化物与氮化物薄膜
多层结构调控层
| 参数 | 数值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 薄膜电学性能与缺陷控制关键 |
| 成分比例 | Ni/V 可定制 | 调控硬度、电阻率与结构特性 |
| 致密度 | ≥95–98% | 成膜颗粒率低,均匀性高 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射速率与寿命 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 支持实验与量产设备 |
| 背板 | Ti / Cu / In | 提高散热能力与稳定性 |
| 材料 | 特点 | 应用方向 |
|---|---|---|
| NiV | 较高硬度 + 高稳定性 | IC、磁性膜、阻挡层 |
| Ni(镍靶材) | 稳定导电性、延展性好 | 电极、传导膜 |
| V(钒靶材) | 强化与高温稳定性 | 结构膜、硬膜 |
| NiCr | 抗腐蚀性强 | 电阻膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| NiV 是否适合用于 IC 工艺? | 是,Ni93V7 是集成电路中常用的粘附层材料。 |
| 是否支持定制配比? | 可定制 Ni/V 任意比例。 |
| NiV 膜层颗粒率如何? | 采用致密烧结工艺,颗粒率极低。 |
| 是否可用于反应性溅射? | 是,可制备 NiVO、NiVN 等功能膜。 |
| 大尺寸靶材是否需要背板? | 建议使用 Cu/Ti 背板加强散热。 |
真空密封防氧化
多层防震与防潮保护
出口级硬箱或木箱
每片靶材附唯一批次号便于追踪
镍钒靶材(NiV)凭借其优异的结构稳定性、电学性能和耐腐蚀能力,是半导体、磁性薄膜和光学结构膜的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同配比、各种规格与背板结合方式,满足科研与工业客户的高性能薄膜沉积需求。
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