铝硅铜靶材（AlSiCu）

产品简介（Introduction）

铝硅铜靶材（AlSiCu）由铝（Al）、硅（Si）与铜（Cu）组成，是半导体金属互连（interconnect）与先进微电子薄膜中最重要的三元合金靶材之一。其结构稳定、导电性优良、耐电迁移性能卓越，并具备高温可靠性，因此广泛用于集成电路（IC）、电阻薄膜、导电层、多层布线结构以及半导体工艺中的关键金属薄膜沉积。

其中，铝提供优异的导电能力和轻量结构，硅可提升薄膜的电迁移可靠性并降低铝的晶界扩散，而铜的添加进一步增强机械强度、耐腐蚀性和高温稳定性，使 AlSiCu 合金薄膜在先进制程中性能更加可靠。

产品详情（Detailed Description）

铝硅铜靶材通常由高纯金属粉末经混粉、球磨、冷等静压（CIP）、真空烧结或 HIP 热等静压制备，或采用真空熔炼合金锭加工而成。靶材密度可达 98–100% TD，适用于高功率 DC/RF 溅射系统。

典型规格

• 纯度（Purity）：99.9%–99.999%

• 成分比例（Composition）：

  • Al-1%Si-0.5%Cu（广泛用于 IC 制程）

  • Al-0.5%Si-0.5%Cu

  • Al-Si-Cu 比例可完全定制

• 尺寸（Size）：Ø25–300 mm 圆形 / 矩形可定制

• 厚度（Thickness）：2–6 mm

• 致密度（Density）：≥98–100% TD

• 工艺（Process）：Vacuum Melting / CIP + Sintering / HIP

• 背板（Bonding）：Cu、Ti、Al、Indium bonding（铟焊）

关键性能

• 高导电性

• 出色抗电迁移能力（EM resistance）

• 薄膜机械强度高、应力低

• 高温稳定性好

• 优异的膜层附着力

• 兼容 DC/RF 溅射及反应性溅射

应用领域（Applications）

1. 集成电路与半导体工艺（IC & Semiconductor）

• 金属互连层（Metal Interconnect）

• 多层布线（Multi-Layer Wiring）

• 电阻薄膜

• 扩散阻挡与导电层

• CMOS 工艺中的金属化层

AlSiCu 是先进工艺中替代纯铝的最佳材料之一。

2. 微电子薄膜（Microelectronics Thin Films）

• 功能性金属薄膜

• 电极层

• 封装金属层

• MEMS 结构层

3. 功能涂层（Functional Coatings）

• 耐腐蚀镀膜

• 结构增强膜

• 高温环境金属层

4. 科研用途（R&D Applications）

• 三元合金电性调控研究

• 电迁移可靠性分析

• 多层金属界面反应研究

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

AlSiCu 是否比纯铝更可靠？
是，Si 和 Cu 能显著改善电迁移抗性。

能用于 RF 溅射吗？
完全兼容 RF、DC、高功率脉冲溅射（HiPIMS）。

成分能否完全按工艺配方定制？
可以，Si/Cu 含量可精准调配。

适合高温退火吗？
是，AlSiCu 在高温下结构稳定性更优。

包装（Packaging）

• 真空密封

• 干燥剂吸湿保护

• 防震多层缓冲

• 出口级硬箱或木箱包装

• 每片靶材附唯一批号与质检报告

结论（Conclusion）

铝硅铜靶材（AlSiCu）以其优异的导电特性、电迁移可靠性和高温稳定性，是半导体金属互连工艺中不可替代的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、成分可定制的 AlSiCu 靶材，可广泛应用于 IC 制程、微电子产品和先进功能薄膜制备需求。