钒靶材(V)

钒靶材(V Sputtering Target)

产品简介

钒(Vanadium, V)是一种银灰色金属,具有优异的延展性、导电性及抗氧化能力。作为一种功能性过渡金属材料,钒靶材广泛用于半导体、光学镀膜、能源材料及功能薄膜制备中。由于其可形成稳定的氧化物、氮化物及碳化物薄膜,钒在新型电子器件与高性能薄膜系统中发挥着关键作用。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度钒靶材(纯度99.9%–99.99%),采用真空熔炼、热轧及热等静压(HIP)工艺制备,具有极高的致密度和优异的溅射均匀性。产品可提供圆形、矩形、环形及定制异形规格,表面光洁度高,适用于直流(DC)和射频(RF)磁控溅射系统。
根据客户需求,可配备铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板以提升热传导效率及机械稳定性。

技术优势

  • 高纯度、低氧含量,减少薄膜杂质;

  • 致密均匀结构,膜层均匀性优良;

  • 良好的导电性与可加工性;

  • 支持大尺寸靶材与背板焊接;

  • 兼容多种镀膜系统。

应用领域

  • 半导体与微电子:用于金属电极、阻挡层及掺杂层;

  • 光学镀膜:制备高折射率薄膜与反射层;

  • 能源与储能材料:用于锂电池、氢储存及太阳能电池功能膜;

  • 装饰与防护涂层:用于建筑玻璃及防腐镀膜;

  • 科研实验:用于氧化钒(VO₂)相变薄膜研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.99% 纯度高可提升膜层性能与稳定性
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流真空镀膜设备
厚度 3 – 6 mm 影响膜层沉积速率
密度 ≥ 6.0 g/cm³ 致密度高,溅射效率高
背板结合 Cu / Ti / In 焊 改善热传导与机械强度
制备工艺 真空熔炼 + HIP 组织均匀、气孔少、寿命长

常见问题(FAQ)

问题 答案
钒靶材可用于哪些溅射系统? 兼容DC与RF磁控溅射系统,适用于PVD工艺。
钒靶材制备的薄膜有哪些特性? 膜层具有优良的导电性、耐腐蚀性及光学可调性。
是否能形成氧化钒(VO₂)薄膜? 可以,是制备智能调光玻璃与相变材料的核心靶材。
可否与其他靶材共溅射? 可以,与Ti、Al、N、O等共溅射形成复合膜。
是否支持定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形规格定制。
钒靶材是否易氧化? 是,建议在真空或惰性气体环境中储存与使用。
是否能提供背板结合? 可选铜、钛或铟焊背板,提升热管理性能。
适合哪些应用? VO₂热调控薄膜、太阳能电池电极、电子开关薄膜等。
是否有标准包装? 真空密封、防震泡沫及防潮保护,确保运输安全。

结论

钒靶材以其优异的化学稳定性、导电性与可控薄膜特性,成为功能性薄膜与智能光学应用中的关键材料。苏州科跃材料科技有限公司为科研机构与高端制造客户提供高纯钒靶材及定制化解决方案,确保高性能与可靠性。

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