| 项目 | 可供应范围 / 需确认信息 |
|---|---|
| 材料 | 高纯金属钛，Ti |
| CAS号 | 7440-32-6 |
| 纯度 | 3N–5N可按项目评估；报价前需确认所需纯度等级及关键杂质限值 |
| 形状 | 圆片、矩形板、台阶靶、中心孔靶、Keeper靶、绑定组件、分段靶或按图定制结构 |
| 常见靶材类型 | 标准平面靶、薄片靶、设备专用靶、定制台阶靶、绑定靶或指定阴极替换靶 |
| 溅射方式 | 金属Ti常用DC磁控溅射；脉冲DC、RF、Ar/N₂、Ar/O₂及其他反应条件需结合设备和薄膜要求评估 |
| 沉积路线 | Ti靶 + Ar → Ti薄膜；Ti靶 + Ar/N₂ → TiN或TiNₓ薄膜；Ti靶 + Ar/O₂ → TiO₂或TiOₓ薄膜 |
| 绑定方式 | 非绑定，或经技术评估后绑定至铜背板 / 设备专用背板 |
| 表面状态 | 车削、磨削、清洗、保护包装，或按图纸要求控制工作面和边缘状态 |
| 文件 | 订单对应CoA、化学成分或杂质数据、尺寸检验，以及约定的绑定 / 组件记录 |
钛溅射靶材的采购规格应围绕目标薄膜、靶材纯度、关键杂质限值、阴极结构、靶材几何形状、绑定方式、反应气体路线、表面状态及文件范围进行确认。
金属钛具有良好导电性，常用于DC磁控溅射沉积金属Ti薄膜。相同金属Ti源材料也可在氮气或氧气气氛中用于沉积TiN、TiNₓ、TiO₂、TiOₓ或相关钛基薄膜。但金属Ti靶、氮化钛靶和二氧化钛靶代表不同源材料路线，应根据已验证工艺选择，不能简单视为互换产品。
钛薄膜常用于附着层、界面层、接触层、种子层以及已验证Ti/TiN阻挡层结构中的Ti底层。钛基氮化物和氧化物薄膜也可用于光学、防护、装饰、耐磨、传感器及功能涂层体系。最终薄膜性能取决于完整沉积工艺，包括基底预处理、压力、气体流量、功率、基底偏压、温度、膜厚、后处理和多层结构设计。
金属Ti靶既可用于沉积金属钛薄膜，也可用于反应溅射TiN / TiOₓ薄膜。
正确的源材料路线取决于目标薄膜、电源兼容性、气体控制策略，以及客户设备上已经验证的工艺。
适用：使用标准圆片规格的实验室及量产平面磁控溅射系统。
需确认：直径、厚度、纯度、平面度、边缘状态、公差、侵蚀区及夹持方式。
适用：需要中心孔、螺纹、凹槽、台肩、Keeper环或指定安装高度的阴极。
需确认：设备制造商和型号、孔位/螺纹规格、凹槽、台肩、Keeper设计、安装高度、接触面及现有图纸。
适用：需要背板、受控总厚度或明确热界面的较高功率或设备专用组件。
需确认：靶材厚度、背板材料与尺寸、绑定体系、孔位、孔距圆直径（PCD）、总厚度、功率、冷却条件及升功率速度。
适用：在线式镀膜设备、大面积沉积系统、台阶靶、分段靶及按图定制替换靶材。
需确认：长×宽×厚度、台阶、台肩、孔位、背板、组件总厚度、冷却接口、阴极适配及验收图纸。
薄膜作用： 用作附着促进层、接触层、种子层或界面层的薄金属 Ti 层，也包括已验证 Ti/TiN 阻挡层结构中的 Ti 底层。
选择钛的原因： 钛特有的界面反应性可支持特定基底与后续金属层或氮化物层之间的附着和接触形成。
需确认： 基底材料、自然氧化层、清洗方式、Ti 厚度、后续膜层、沉积压力、基底温度、膜层应力及附着 / 接触测试方法。
薄膜作用： 金属 Ti 靶与氮气反应，用于形成 TiN、TiNₓ 或相关氮化钛薄膜。
选择钛的原因： 导电金属 Ti 源适合围绕氮气控制和靶面预处理建立反应氮化物溅射工艺。
需确认： Ar/N₂ 比例、电源模式、靶中毒、迟滞行为、基底偏压、温度、硬度、颜色、物相、膜厚及验收测试。
薄膜作用： 金属 Ti 靶与氧气反应，用于形成光学、介电、传感器或功能氧化物应用中的氧化钛薄膜。
选择钛的原因： 当系统能够控制氧气流量、靶面状态和薄膜化学计量比，且更倾向采用氧气反应溅射路线时，可选择金属 Ti 源。
需确认： 氧气流量、压力、电源模式、基底温度、退火、光学常数、膜厚、化学计量比及物相。
薄膜作用： 用于装饰、防护或耐磨涂层体系中的 Ti、TiN、TiOₓ 或含钛功能层。
选择钛的原因： 钛基体系可用于需要金属外观、反应工艺灵活性、膜系兼容性、硬度、颜色或防护性能的项目。
选型应从目标薄膜和沉积路线开始，再确认纯度、关键杂质、靶材结构、阴极适配、绑定方式、运行条件及验收文件。
| 选型因素 | 需要确认 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 目标薄膜 | 金属Ti、附着/接触层、Ti/TiN结构中的Ti底层、TiN、TiO₂、TiOₓ、TiOₓNᵧ或多层结构 | 决定采用金属Ti、反应溅射，还是直接使用化合物靶材路线。 |
| 纯度与关键杂质 | 所需纯度，以及氧、氮、碳、铁和项目指定杂质限值 | 钛反应性强，单独的名义纯度等级可能不足以覆盖关键杂质要求。 |
| 尺寸与安装适配 | 直径或长×宽、厚度、台阶、孔位、螺纹、凹槽、台肩、公差和安装高度 | 确保靶材与夹持、电接触、冷却接口及侵蚀形貌相匹配。 |
| 阴极 / Keeper信息 | 制造商、型号、Keeper编号、孔位设计、凹槽、现有靶材照片和图纸 | 即使名义尺寸相似，设备专用靶材的细节也可能不同。 |
| 绑定与背板 | 非绑定或绑定结构、背板材料、孔位、总厚度及客户提供背板状态 | 影响机械支撑、热传导、安装配合及实际运行条件。 |
| 反应气体路线 | Ar、Ar/N₂、Ar/O₂、Ar/O₂/N₂或其他已验证气体组合 | 决定工艺沉积Ti、TiN、TiO₂、TiOₓ或混合钛基薄膜。 |
| 功率、冷却与操作 | DC、脉冲DC、RF、最大功率、升功率速度、冷却水流量、运行时间、清洁、包装及操作要求 | 有助于评估靶材稳定性、绑定适用性、预溅射行为及污染控制。 |
| 验收与文件 | CoA、杂质数据、尺寸报告、组件记录、批准图纸及版本 | 将一般供应描述转化为可测量的订单验收标准。 |
最重要的对比并不是三个产品名称本身，而是三种沉积路线。正确的源材料取决于目标薄膜、电源兼容性、成分控制策略，以及客户设备上已经验证的工艺。
| 源材料 | 典型薄膜路线 | 何时选择 | 关键规格 |
|---|---|---|---|
| 金属钛，Ti | 金属 Ti；反应 TiN / TiNₓ；反应 TiO₂ / TiOₓ | 当项目需要金属 Ti，或已验证工艺包含氮气 / 氧气反应溅射路线时选择。 | 纯度、O/N 限值、几何结构、阴极适配、绑定方式、气体路线、功率、冷却及文件。 |
| 氮化钛，TiN | 用于 TiN 基薄膜的直接化合物源路线 | 当工艺围绕氮化物靶材建立，而不是通过金属 Ti 反应溅射时选择。 | Ti/N 基准、物相、纯度、密度、电阻率、尺寸、绑定及兼容电源模式。 |
| 二氧化钛，TiO₂ | 用于 TiO₂ / 氧化物薄膜的直接氧化物源路线 | 当项目更倾向直接使用氧化物靶材，而不是通过金属 Ti 氧气反应溅射时选择。 | Ti/O 基准、物相、纯度、密度、电阻率、尺寸、绑定、包装及电源模式。 |
| 材料 | 适用方向 | 何时选择 |
|---|---|---|
| 钛，Ti | 附着层、接触层、种子层和界面层；已验证 Ti/TiN 结构中的 Ti 底层。 | 当项目需要 Ti 特有的界面行为、接触兼容性，或灵活的反应 TiN / TiOₓ 工艺时选择。 |
| 铬，Cr | 附着层、光学底层、图形化薄膜及 Cr 基反应涂层路线。 | 当项目需要铬特有的附着性、光学吸收、蚀刻行为，或 CrNₓ / CrOₓ 化学特性时选择。 |
| 钽，Ta | 扩散阻挡层、电极、TaN / TaOₓ 路线、电阻结构及高稳定性薄膜体系。 | 当项目需要 Ta 特有的扩散阻挡性能、耐腐蚀性、电学稳定性或器件级可靠性时选择。 |
选型总结： 当项目需要金属钛薄膜，或已验证的反应 TiN / TiOₓ 工艺时，选择金属 Ti 靶材；当项目采用直接化合物源路线时，选择 TiN 或 TiO₂ 靶材。只有在需要 Cr 或 Ta 特有的界面化学、光学行为、扩散阻挡性能或电学性能时，才应考虑 Cr 或 Ta。
以下示例展示了适合报价的规格表达方式。最终可供应性和验收标准仍以具体订单确认为准。
| Item | Example Requirement |
|---|---|
| Material | Titanium, Ti |
| Purity | 4N5 (99.995%) |
| Dimensions | Ø76.2 × 6.35 mm |
| Configuration | Unbonded circular planar target |
| Application | Ti adhesion / interface layer and reactive TiN process trials |
| Power / Gas | DC magnetron; Ar for Ti and Ar/N2 for TiN trials |
| Documentation | Order-specific CoA and dimensional inspection report |
科跃材料在生产前会评估靶材材料、纯度、关键杂质、几何结构、安装适配性、背板设计、绑定可行性、运行功率及冷却条件。
靶材可按标准英寸或公制尺寸加工，也可根据中心孔、Keeper结构、台阶、台肩、凹槽、孔位、矩形结构、分段设计或已批准的替换图纸进行定制加工。
检验项目可包括直径、厚度、平面度、表面状态、边缘状态、孔位结构及图纸指定特征。
| 询价项目 | 示例 / 需要提供的信息 |
|---|---|
| 材料 / 纯度 | 钛，Ti；所需等级如3N、4N、4N5、5N或其他可评估等级 |
| 关键杂质 | 氧、氮、碳、铁或客户指定杂质限值 |
| 目标薄膜 | 金属Ti、附着/接触层、Ti底层、TiN、TiO₂、TiOₓ、TiOₓNᵧ、光学层或多层结构 |
| 形状与尺寸 | 圆片、矩形、台阶、Keeper、绑定组件；直径或长×宽、厚度、公差及安装高度 |
| 阴极 / Keeper | 制造商、型号、中心孔、螺纹、凹槽、Keeper编号、现有靶材照片和图纸 |
| 绑定 / 背板 | 非绑定或绑定；背板材料、尺寸、孔位、PCD、绑定体系及总厚度 |
| 文件 / 图纸 / 交付 | CoA、杂质数据、尺寸报告、组件记录；PDF / STEP / DWG / 照片；收货城市、邮编及国家 |
钛溅射靶材用于沉积金属Ti薄膜，并可通过反应溅射制备氮化钛或氧化钛薄膜。常见应用包括附着层、界面层、接触层、Ti/TiN结构、光学镀膜、防护涂层、装饰涂层及其他钛基功能薄膜体系。
可以。金属Ti可在氩气/氮气气氛中反应溅射形成TiN、TiNₓ或相关氮化钛薄膜。氮气流量、压力、功率、基底偏压、温度、靶中毒和预溅射状态都会影响物相、颜色、硬度、应力和化学计量比。
可以。金属Ti可在含氧气氛中溅射形成TiO₂、TiOₓ或相关氧化钛薄膜。氧气流量、压力、电源模式、靶面状态、基底温度和沉积后处理会影响薄膜成分、物相和光学性能。
当工艺围绕氮气反应溅射建立，或同一源材料还需支持金属Ti沉积时，可选择金属Ti。若设备和工艺已经围绕直接氮化物源验证，则可选择TiN化合物靶材。
当氧气反应溅射是已验证工艺，并且系统能够控制氧气流量和靶面状态时，可选择金属Ti。若工艺设计为直接使用氧化物靶材，并具备兼容电源模式，则可选择TiO₂靶材。
适合。金属钛具有导电性，常用于DC磁控溅射沉积金属Ti及许多反应TiN工艺。若需要控制打弧、靶中毒、阴极适配或特定薄膜性能，也可评估脉冲DC或其他电源模式。
应根据薄膜用途和污染控制要求指定纯度。对于敏感项目，建议同时明确氧、氮、碳、铁及其他关键杂质的最高限值，而不是只写一个通用纯度等级。
钛容易与氧和氮发生作用。氧、氮含量可能影响源材料化学状态、靶材预溅射行为、反应工艺稳定性及薄膜性能，因此单独限值往往比名义纯度更有意义。
当阴极需要背板、受控总厚度、额外机械支撑或明确热界面时，可评估绑定结构。设计应与功率、冷却、升功率速度、运行时间及安装适配一起确认。
请提供纯度与关键杂质、目标薄膜、靶材尺寸、数量、阴极或Keeper型号、孔位/螺纹/凹槽细节、绑定与背板要求、电源模式、反应气体、运行条件、所需文件、图纸或现有靶材照片及收货地点。
