硅靶材(Si)

硅靶材(Si Sputtering Target)

产品简介

硅(Silicon, Si)是电子工业中最重要的半导体材料之一,具有优异的电学、热学与光学特性。硅靶材作为磁控溅射与PVD工艺中的核心材料,广泛应用于半导体器件、显示技术、太阳能电池以及光学镀膜等领域。其沉积形成的薄膜具有高纯度、良好附着性和优异的电学均匀性,是现代信息与能源产业不可或缺的基础材料。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度硅靶材(纯度99.999%–99.9999%,即5N–6N),采用区熔硅或单晶硅原料,通过精密切割与抛光工艺制备,表面光洁度高、杂质含量极低。
可提供掺杂(P型、N型)与非掺杂(Intrinsic)两种类型的靶材,适配直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
背板结合可选铜(Cu)、钛(Ti)或弹性体(Elastomer Bonding),以增强散热与结构稳定性。

技术特点

  • 高纯度、低氧低碳杂质含量;

  • 兼容多种溅射设备(DC/RF/PVD系统);

  • 可提供掺杂硅(P、N型)及本征硅靶材;

  • 表面精密研磨抛光,溅射均匀性优良;

  • 可根据客户需求提供多规格定制。

应用领域

  • 半导体器件:用于介电层、电极层及晶体管结构制备;

  • 光伏能源:用于太阳能电池活性层与抗反射层;

  • 显示技术:用于TFT-LCD与OLED电极层;

  • 光学镀膜:用于反射镜、滤光片及透光膜制备;

  • 科研与功能材料:用于Si基复合薄膜及纳米结构研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 5N – 6N(99.999%–99.9999%) 高纯度确保薄膜电子性能稳定
掺杂类型 P型 / N型 / Intrinsic 根据应用需求选择导电类型
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射系统
厚度 3 – 6 mm 影响膜厚与溅射速率
电阻率 10⁻³–10³ Ω·cm(可定制) 调控电学性能
背板结合 Cu / Ti / Elastomer 提高热导性与机械稳定性
制备工艺 单晶切片 + 抛光 + 清洗 表面洁净度高,膜层一致性好

常见问题(FAQ)

问题 答案
硅靶材可用于哪些溅射系统? 可用于直流(DC)、射频(RF)及中频(MF)磁控溅射系统。
是否可提供掺杂硅靶材? 可以,提供P型(B掺杂)或N型(P掺杂)硅靶材。
靶材沉积的薄膜特性如何? 形成的薄膜纯度高、致密度高、附着力强。
是否适合用于光伏行业? 是的,广泛应用于太阳能电池和光学镀膜。
是否提供背板焊接? 可选铜、钛或弹性体结合,增强散热性能。
可否提供定制尺寸? 可根据设备要求提供Ø25–Ø300 mm定制。
是否可用于多层共溅射? 可与Ti、Al、W等材料共溅射形成复合薄膜。
是否提供掺杂电阻率参数? 可根据客户要求指定目标电阻率范围。
包装方式? 真空密封、防震、防静电包装,确保运输安全。

结论

硅靶材是高科技产业中最关键的溅射材料之一,其高纯度与优异电学性能确保了薄膜器件的稳定性与可靠性。苏州科跃材料科技有限公司可提供科研级与工业级硅靶材,支持掺杂与背板定制,满足半导体、光伏与显示行业的高标准需求。

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