硒靶材(Se)

硒靶材(Se Sputtering Target)

产品简介

硒(Selenium, Se)是一种具有独特光电性能的非金属元素,呈灰黑色金属光泽,具良好的光导性与半导体特性。硒靶材广泛用于太阳能电池、光电探测器、薄膜晶体管及化合物半导体的制备中,是CdSe、CIGS(Cu(In,Ga)Se₂)等高性能光电薄膜的关键原料。其优异的光吸收特性与化学稳定性,使其成为光伏与显示技术领域的重要功能靶材。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度硒靶材(纯度99.9%–99.999%),采用真空蒸馏与冷等静压(CIP)工艺制备,具有高纯度、低氧含量和优良的致密性。靶材结构均匀、表面光洁,溅射稳定性强。
可提供圆形、矩形及异形规格,适配DC(直流)与RF(射频)磁控溅射系统。
可选铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板结合,以提升热导效率与机械稳定性。

技术特点

  • 高纯度(4N–5N),膜层杂质极低;

  • 溅射速率稳定,膜层均匀性优异;

  • 优良的光学与电学兼容性;

  • 可与多种材料共溅射,形成复合化合物薄膜。

应用领域

  • 光伏太阳能电池:用于Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)吸收层制备;

  • 光电探测与传感器:用于CdSe、ZnSe、SeTe等光电材料;

  • 显示与薄膜晶体管:用于光电开关与TFT结构;

  • 科研实验:用于新型半导体与光电复合材料研究;

  • 红外与光学器件:用于红外透射膜与光导层制备。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.999% 纯度高可降低薄膜缺陷与氧化风险
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流真空镀膜设备
厚度 3 – 6 mm 影响溅射速率与膜厚一致性
密度 ≥ 4.81 g/cm³ 致密性高,溅射均匀性好
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提升散热与机械强度
制备工艺 真空蒸馏 + CIP 结构均匀,纯度稳定可靠

常见问题(FAQ)

问题 答案
硒靶材可用于哪些溅射系统? 可用于直流(DC)和射频(RF)磁控溅射系统。
硒靶材主要用于哪些薄膜? 主要用于CdSe、CIGS、ZnSe、SeTe等光电薄膜。
是否可与其他靶材共溅射? 可以,与In、Ga、Cu等共溅射制备复合光伏膜。
是否易氧化或挥发? 硒易氧化及升华,建议在真空或惰性气氛中储存与使用。
是否可提供背板焊接? 可提供Cu、Ti或In焊结合以增强热传导性。
可否定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm圆形、矩形及异形靶材定制。
是否适合CIGS工艺? 是的,是CIGS吸收层制备中关键的元素源。
包装方式? 真空密封、防震、防潮包装,确保靶材洁净运输。

结论

硒靶材凭借其优异的光吸收特性与电学性能,是高效太阳能电池及光电探测领域的核心材料之一。苏州科跃材料科技有限公司可提供科研级与工业级高纯硒靶材,确保高致密度与优异的溅射稳定性,为先进光电材料制备提供可靠支持。

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📧 sales@keyuematerials.com