钌靶材(Ru)

钌靶材(Ru Sputtering Target)

产品简介

钌(Ruthenium, Ru)是一种稀有的铂族金属,具有优异的导电性、耐腐蚀性和热稳定性。由于其高硬度、低电阻及优异的化学惰性,钌靶材被广泛用于半导体集成电路(IC)、硬盘读写磁头、电极材料以及光学镀膜等领域。钌的稳定特性使其在极端环境中仍能保持出色性能,是高端薄膜沉积和微电子工艺中的关键材料之一。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度钌靶材(纯度99.95%–99.99%),采用真空熔炼、粉末冶金及热等静压(HIP)工艺制备。靶材晶粒细致、密度高、结构均匀,可确保沉积薄膜致密且稳定。
可提供圆形、矩形、环形及定制形状靶材,适配DC(直流)与RF(射频)磁控溅射系统。
根据需求,可配备铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板,以提升散热性能与机械强度。

技术特点

  • 高纯度、低气体杂质含量;

  • 致密结构,溅射均匀性优异;

  • 极佳的化学惰性与耐高温性能;

  • 可与多种材料共溅射,制备复合薄膜;

  • 支持多尺寸与背板结合定制。

应用领域

  • 半导体器件:用于电极层、扩散阻挡层及金属栅极;

  • 磁记录与存储器件:用于磁头、电阻式存储器(RRAM)及MRAM结构;

  • 光学镀膜:用于反射层、吸收层及高硬度膜;

  • 能源材料:用于燃料电池电极及催化层;

  • 科研与功能薄膜:用于RuO₂导电氧化物及多层复合结构研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.95% – 99.99% 高纯度确保薄膜电学性能稳定
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射系统
厚度 3 – 6 mm 影响溅射速率与膜厚均匀性
密度 ≥ 12.4 g/cm³ 致密性高,薄膜附着力好
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提升散热性能与机械稳定性
制备工艺 粉末冶金 + HIP / 真空熔炼 微结构均匀、寿命长、表面光洁度高

常见问题(FAQ)

问题 答案
钌靶材可用于哪些溅射系统? 可用于DC与RF磁控溅射系统,兼容PVD设备。
钌靶材沉积的薄膜具有什么特性? 具有优异导电性、高硬度与耐腐蚀性。
是否适用于半导体应用? 是的,广泛用于电极层与阻挡层工艺。
是否可与其他材料共溅射? 可以,与Ti、Ta、SiO₂、Pt等材料共溅射形成复合膜。
钌靶材是否易氧化? 表面可轻微氧化,建议在真空或惰性气氛中储存。
可否提供背板焊接? 可选Cu、Ti或In焊结合,提高散热与机械强度。
是否支持定制? 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形靶材定制。
包装方式? 真空密封、防震、防潮包装,确保洁净运输。

结论

钌靶材以其卓越的化学稳定性与优异导电性,在微电子、光学与能源领域发挥着不可替代的作用。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度的钌靶材及背板结合服务,确保膜层均匀性与溅射稳定性,广泛服务于科研与高端制造客户。

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📧 sales@keyuematerials.com