铼靶材(Re)

铼靶材(Re Sputtering Target)

产品简介

铼(Rhenium, Re)是一种密度高、熔点极高(3180 °C)的稀有难熔金属,具有优异的高温强度、电导性和耐腐蚀性。由于其在极端条件下仍能保持稳定结构,铼靶材被广泛应用于高温电子器件、航天涂层、薄膜电极以及催化与能源材料制备中。其薄膜具有出色的电学均匀性、抗氧化性和热稳定性,是高端溅射镀膜系统的重要材料之一。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度铼靶材(纯度99.97%–99.99%),采用真空熔炼与热等静压(HIP)工艺制造,结构致密、成分均匀。靶材表面光洁,溅射性能稳定,适配直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
可根据客户需求提供圆形、矩形或异形靶材,并可配备铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板结合,以提升热导性与机械强度。

技术特点

  • 超高熔点(3180 °C),耐热性能优异;

  • 高纯度(3N–4N),薄膜缺陷率低;

  • 致密结构,膜层均匀性出色;

  • 良好的导电性与耐腐蚀性能;

  • 支持定制尺寸、厚度及背板结合方式。

应用领域

  • 半导体与微电子:用于电极、互连层与阻挡层;

  • 航天与高温涂层:用于耐高温、抗氧化保护膜;

  • 能源材料:用于催化电极、燃料电池膜层;

  • 光电与功能膜:用于高导电、反射性或耐磨膜;

  • 科研实验:用于高温结构材料及难熔金属复合膜研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.97% – 99.99% 高纯度确保薄膜电学与化学稳定性
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射系统
厚度 3 – 6 mm 影响溅射速率与膜层厚度均匀性
密度 ≥ 21.0 g/cm³ 高致密度,保证溅射稳定性
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提升散热与结构强度
制备工艺 真空熔炼 + HIP / CIP 结构致密、性能稳定、寿命长

常见问题(FAQ)

问题 答案
铼靶材可用于哪些溅射系统? 可用于直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
铼靶材沉积的薄膜具有什么特性? 具有高导电性、耐腐蚀性和优异热稳定性。
是否适用于高温环境? 是的,铼在3000 °C以上仍保持结构稳定。
是否可与其他材料共溅射? 可以,与W、Ta、Pt等共溅射制备复合功能膜。
是否提供背板焊接? 可选Cu、Ti或In 焊结合以提升热导性与机械稳定性。
是否支持定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形靶材定制。
是否适用于科研用途? 是的,常用于高温材料与电子功能膜研究。
包装方式? 采用真空密封、防震、防潮包装,确保运输洁净安全。

结论

铼靶材以其卓越的高温稳定性、导电性与化学惰性,被广泛用于半导体、航空航天及能源领域。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度铼靶材及背板焊接服务,确保优异的薄膜性能与溅射效率,为科研与高端制造客户提供可靠的材料解决方案。

如需了解更多技术参数或获取报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com