钼靶材(Mo)

钼靶材(Mo Sputtering Target)

产品简介

钼(Molybdenum, Mo)是一种高熔点(2623 °C)、高强度且具良好导电导热性能的难熔金属。钼靶材因其优异的热稳定性、电学性能与化学惰性,被广泛应用于半导体、电极、光学镀膜及太阳能电池等领域。其制备的薄膜具有高附着力、低电阻率和出色的耐腐蚀性,是薄膜晶体管(TFT)和CIGS太阳能器件中的关键材料。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度钼靶材(纯度99.95%–99.999%),采用真空电子束熔炼(EBM)与热等静压(HIP)工艺制备,组织均匀致密、晶粒细小,表面光洁度高。
靶材可提供圆形、矩形及环形结构,适配直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
可选铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板结合,以提升散热与机械稳定性。

技术特点

  • 高纯度(4N–5N),薄膜污染率低;

  • 高熔点与优异热导性;

  • 致密均匀组织,溅射速率稳定;

  • 良好的机械强度与尺寸稳定性;

  • 可根据设备需求定制不同尺寸与厚度。

应用领域

  • 半导体工艺:用于扩散阻挡层、电极与互连层;

  • 显示技术(TFT-LCD、OLED):用于透明导电层及背电极;

  • 光伏能源:用于CIGS和CdTe太阳能电池的电极层;

  • 光学镀膜:用于反射膜、滤光膜及保护层;

  • 科研实验:用于高纯Mo薄膜与复合功能膜研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.95% – 99.999% 高纯度减少薄膜缺陷与杂质含量
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射系统
厚度 3 – 6 mm 影响膜层厚度与溅射速率
密度 ≥ 10.2 g/cm³ 致密性高,膜层均匀性优异
背板结合 Cu / Ti / In 焊 增强热导性与机械稳定性
制备工艺 EBM + HIP / CIP 微结构致密,寿命长,溅射稳定性高

常见问题(FAQ)

问题 答案
钼靶材适用于哪些系统? 适用于DC与RF磁控溅射系统。
钼靶材薄膜的特性? 导电性优异、附着力强、耐高温性能好。
是否用于TFT显示技术? 是的,广泛用于TFT-LCD和OLED背电极层。
是否适用于CIGS太阳能电池? 是的,常用于CIGS电极与背接触层制备。
是否支持背板焊接? 可提供Cu、Ti或In焊结合以提升散热性能。
是否可定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形靶材。
是否容易氧化? 钼表面会生成MoO₃保护层,具有一定抗氧化性。
包装方式? 真空密封、防震、防潮包装,确保运输安全。

结论

钼靶材以其高纯度、高致密性及出色的热稳定性,被广泛应用于半导体、光学与新能源产业。苏州科跃材料科技有限公司提供高品质钼靶材及背板焊接服务,确保薄膜沉积的均匀性与可靠性,是科研与工业客户可信赖的材料供应伙伴。

如需了解更多技术参数或获取报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com