您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
锰（Manganese, Mn）是一种具有独特磁性与化学活性的过渡金属，在磁性材料、半导体薄膜及功能氧化物中发挥重要作用。锰靶材因其优良的溅射性能和与多种元素的可合金化特性，常用于制备磁阻效应膜（GMR、TMR）、半导体掺杂膜、以及透明导电膜等。其应用覆盖电子、光学、能源与科研领域。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度锰靶材（纯度99.9%–99.99%），采用真空熔炼与热等静压（HIP）工艺制备，晶粒细小、致密度高、杂质含量低。
产品可制成圆形、矩形或异形靶材，适配直流（DC）与射频（RF）磁控溅射系统。
可选铜（Cu）、钛（Ti）或铟焊（In Bonded）背板结合，以提高热传导性能和机械稳定性。
高纯度（3N–4N），保证膜层纯净；
致密结构，溅射稳定性优异；
磁性好，可形成功能性磁薄膜；
可定制尺寸、厚度及背板焊接方式；
支持与多种元素共溅射形成复合膜。
磁性材料：用于GMR/TMR多层结构中的Mn基膜层；
半导体器件：用于掺杂膜与接触层；
光学镀膜：用于调控薄膜反射率与吸收特性；
能源材料：用于电极、催化及储能薄膜；
科研实验：用于MnOₓ、MnAl、MnNi等化合物膜研究。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 高纯度减少薄膜杂质与缺陷 |
| 直径 | 25 – 300 mm（可定制） | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3 – 6 mm | 影响溅射速率与膜厚均匀性 |
| 密度 | ≥ 7.2 g/cm³ | 致密性高，溅射稳定性好 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 提升散热与机械强度 |
| 制备工艺 | 真空熔炼 + HIP | 结构致密、杂质少、寿命长 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 锰靶材可用于哪些溅射系统？ | 可用于DC与RF磁控溅射系统。 |
| 锰靶材沉积的薄膜有哪些特性？ | 具有磁性、化学活性与良好的附着力。 |
| 是否可与其他材料共溅射？ | 可以，与Fe、Ni、Co等共溅射制备功能性磁膜。 |
| 是否易氧化？ | 是的，应在真空或惰性气氛中储存与操作。 |
| 是否可提供背板焊接？ | 可提供Cu、Ti或In焊结合以提高热导性。 |
| 是否适用于科研用途？ | 是的，广泛用于稀磁半导体与氧化膜研究。 |
| 可否定制规格？ | 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形靶材定制。 |
| 包装方式？ | 真空密封、防震、防潮包装，确保洁净运输。 |
锰靶材凭借其优异的磁学与化学性能，是电子、光学及能源应用中不可或缺的溅射材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度的Mn靶材及背板焊接方案，确保溅射过程稳定、膜层性能卓越，广泛服务于科研机构与工业客户。
如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1