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碳（Carbon, C）是一种非金属元素，具有优异的化学稳定性、高熔点（约3550 °C）和良好的导电性。碳靶材因其高纯度、耐高温及化学惰性特性，广泛用于半导体、光学、能源与装饰镀膜等领域。其沉积的碳薄膜可用于防护层、导电层及功能涂层，是硬质涂层和光学涂层的重要原材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度碳靶材（纯度99.9%–99.999%），采用高纯石墨热等静压（HIP）工艺或CVD石墨制备，具有高致密度、低孔隙率和优异的溅射性能。
靶材可提供圆形、矩形及异形结构，适配DC（直流）与RF（射频）磁控溅射系统。
可选钛（Ti）或铜（Cu）背板结合（Indium Bonded），以增强散热性能与机械强度。
高纯度（3N–5N），杂质极低；
高熔点、高导热性与化学惰性；
溅射速率稳定，膜层致密均匀；
可制备DLC（类金刚石膜）、碳化膜与电极保护膜；
支持多种尺寸、形状及背板定制。
半导体制造：用于扩散阻挡层、掺杂层及光刻防护膜；
光学镀膜：用于红外吸收膜与抗反射膜；
硬质防护涂层：用于DLC、C-N、C-Ti等复合结构；
能源领域：用于电极膜、导电层及锂电保护膜；
科研实验：用于碳基复合薄膜及功能涂层研究。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.999% | 高纯度减少薄膜缺陷与杂质影响 |
| 直径 | 25 – 300 mm（可定制） | 适配主流溅射系统 |
| 厚度 | 3 – 6 mm | 影响膜层沉积速率 |
| 密度 | ≥ 2.1 g/cm³（CVD Graphite） | 致密性高，溅射均匀性优异 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 提升散热性能与机械稳定性 |
| 制备工艺 | CVD 或 HIP 石墨 | 组织致密、溅射寿命长、表面光洁度高 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 碳靶材可用于哪些溅射系统？ | 适用于DC与RF磁控溅射系统。 |
| 碳靶材的薄膜性能如何？ | 具有高硬度、耐磨性及优异的化学稳定性。 |
| 是否可用于DLC涂层？ | 是的，广泛用于类金刚石薄膜沉积。 |
| 是否可与金属共溅射？ | 可以，与Ti、Si、Ni等共溅射形成复合膜。 |
| 是否易氧化？ | 碳在高温空气中易氧化，应在真空中操作。 |
| 是否提供背板焊接？ | 可提供Cu或Ti背板结合服务。 |
| 是否适用于光学镀膜？ | 是的，常用于红外吸收与防护膜。 |
| 包装方式？ | 真空密封、防震、防潮包装，确保洁净运输。 |
碳靶材以其优异的化学稳定性、耐高温性能和成膜均匀性，被广泛用于电子、光学与能源领域。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密的C靶材及背板结合服务，确保薄膜制备稳定、膜层性能优异，是科研与工业客户的理想选择。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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