镉靶材(Cd)

镉靶材(Cd Sputtering Target)

产品简介(Introduction)

镉(Cadmium, Cd)是一种银白色软金属,具有优异的延展性、良好的电学与光学性能,并能够形成高质量的II-VI族化合物薄膜。镉靶材广泛应用于光电薄膜、光伏器件(如CdTe太阳能电池)、红外探测器、透明导电膜及科研实验室功能材料制备,是高性能薄膜沉积领域的重要基础材料。

产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度镉靶材(纯度99.99%–99.999%,4N–5N),采用真空熔炼、热压、冷等静压(CIP)等工艺制备,确保材料均匀致密,无夹杂、无氧化斑点。
可提供 圆形、方形、环形及定制形状,兼容 DC / RF磁控溅射系统
为高功率或长时间稳定溅射应用,提供 铜(Cu)及铟焊(In Bonded)背板结合,提升散热与机械强度。

产品特性

  • 高纯度(4N–5N)降低薄膜缺陷,提高光电性能;

  • 低熔点金属,溅射速率稳定可控;

  • 熔点低但加工程度高,可通过背板增强结构稳定性;

  • 适合制备CdTe、CdS、CdO等化合物薄膜;

  • 表面光洁度高,颗粒脱落率低;

  • 支持各种尺寸与溅射设备兼容定制。

应用领域(Applications)

1. 光伏薄膜材料

  • CdTe太阳能电池吸收层

  • CdS缓冲层

  • CdSe光吸收薄膜

2. 光电子与红外探测

  • II-VI族半导体薄膜

  • 红外探测器材料(CdHgTe体系)

3. 透明导电膜(TCO)

  • 高透光性CdO薄膜

  • 可调节电导率的光学膜层

4. 功能性薄膜

  • 纳米结构Cd基复合薄膜

  • 光吸收/反射/调制功能层

5. 科研用途

  • 高纯Cd用于化合物溅射研究

  • 多层复合结构薄膜设计

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.99% – 99.999% 光电性能敏感材料需高纯度
直径 Ø25–Ø300 mm(可定制) 兼容各种溅射腔体
厚度 3–6 mm 影响沉积速率与稳定性
密度 ≥ 8.65 g/cm³ 致密性高,薄膜均匀性更好
制备工艺 真空熔炼 / CIP / HP 微结构均匀,稳定性高
背板结合 Cu / In Bonded 提升散热与防止软金属变形

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要特性 应用场景
镉(Cd) 适合II-VI族化合物薄膜 CdTe光伏、CdS薄膜
硒(Se) 与Cd组成CdSe光吸收层 光电子与光伏
碲(Te) 与Cd组成CdTe吸收层 太阳能电池
锌(Zn) 可与Cd形成合金及氧化物 光学与电子薄膜

常见问题(FAQ)

问题 答案
镉靶材支持哪些溅射方式? 适用于DC与RF磁控溅射。
是否可用于CdTe薄膜制备? 是的,Cd靶材常用于CdTe器件。
镉是否易氧化? 镉较为活泼,应真空密封保存。
能否提供In Bonded背板? 是的,适用于软金属靶材。
是否易变形? 软金属特性,需要背板支撑。
是否可制作矩形靶? 可根据图纸定制。
是否可共溅射? 可与Te、Zn、Se等共溅射用于光电材料研究。
包装方式是什么? 真空密封、防震防潮、多层保护包装。

包装与交付(Packaging)

所有镉靶材均采用:

  • 真空独立密封

  • 防静电干燥包装

  • 多层缓冲防震保护

  • 出口级硬纸箱或木箱包装

结论(Conclusion)

镉靶材是光电、光伏及半导体薄膜制备中的关键材料,尤其在CdTe及CdS体系中具有核心应用价值。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度的Cd靶材,结合专业背板焊接与严格质量控制,为科研与工业薄膜制备提供稳定可靠的材料解决方案。

如需获取更多技术细节或报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com