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苏州科跃 碳化硅（SiC）晶圆：助力高科技未来
苏州科跃在碳化硅（SiC）晶圆生产领域处于行业领先地位，凭借卓越的品质与持续创新，为高科技产业提供可靠支持。结合丰富的制造经验与先进的生产技术，我们能够为客户定制满足现代应用需求的 SiC 晶圆解决方案。
在苏州科跃，我们注重定制化与精密制造，确保每片晶圆都能为您的特定应用提供理想性能，助推先进技术的未来发展。
碳化硅晶圆规格
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 尺寸 | 10 × 3 mm、10 × 5 mm、10 × 10 mm、15 × 15 mm、20 × 15 mm、20 × 20 mm、直径 15 mm、直径 20 mm、直径 1″、直径 2″、直径 4″、直径 6″ |
| 厚度 | 0.35 mm |
| 晶向 | ＜0001＞ |
| 抛光 | 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP) |
| 定向精度 | ±0.5° |
| 边缘倒角 | 2°（可选 1°） |
| 晶体角度 | 可根据需求提供特殊尺寸与晶向 |
| 表面粗糙度 (Ra) | ≤ 5 Å（5 μm × 5 μm） |
碳化硅晶圆物理性能
| 性能参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | SiC |
| 生长方法 | MOCVD |
| 晶体结构 | M6 |
| 晶格常数 (Å) | a = 3.08, c = 15.08 |
| 晶向 | <0001> 3.5º |
| 密度 (g/cm³) | 3.21 |
| 莫氏硬度 | 9.2 |
| 熔点 | 1900°C |
| 热传导率（@300K） | 5 W/cm·K |
| 介电常数 | ε(11) = ε(22) = 9.66，ε(33) = 10.33 |
选择苏州科跃碳化硅晶圆，为您的下一代应用提供卓越性能、可靠性与精密度，满足先进半导体技术的未来发展需求。
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