描述
苏州科跃 Gallium Nitride Wafers：精密与性能的全新定义
苏州科跃致力于生产高品质的氮化镓（GaN）晶圆，依托先进的技术实力与精湛的制造工艺，提供卓越的产品与服务。作为半导体材料领域的知名供应商，苏州科跃专注于为客户提供可靠、高精度的解决方案，以满足不断变化的市场需求。
我们的 GaN 晶圆以优异的一致性和先进的制造工艺脱颖而出，在行业中树立了标杆。秉承持续创新的理念，苏州科跃始终走在晶圆生产技术的前沿，以高性能、稳定可靠的材料推动技术发展。
氮化镓晶圆规格
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 尺寸 | 10.0 mm × 10.5 mm、14.0 × 15.0 mm、2″、4″ |
| 厚度 | 400 μm ± 30 μm / 450 μm ± 30 μm |
| 抛光 | 正面：Ra < 0.2 nm，Epi-ready 抛光处理 背面：精细研磨 |
| 晶向 | C轴 (0001) ± 0.5° |
| TTV | < 15 μm |
| 弯曲度 | < 20 μm |
氮化镓晶圆物理性能
| 性能参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | GaN |
| 导电类型 | N 型 |
| 电阻率 (300K) | < 0.02 Ω·cm / < 0.2 Ω·cm / > 1E8 Ω·cm |
| 位错密度 (EPD 平均值) | < 5 × 10⁶ cm⁻² |
| 可用表面积 | > 90% |
| 等级 | 量产级、科研级、样品级 |
探索苏州科跃氮化镓晶圆所带来的卓越性能与精密制造，助力下一代半导体技术发展。
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