描述
高频高速应用材料：苏州科跃材料科技有限公司提供砷化镓晶圆
苏州科跃材料科技有限公司专业供应高纯度砷化镓（GaAs）晶圆，具有直接带隙、高电子迁移率和优异的高频响应特性，广泛应用于射频（RF）器件、微波通信、红外探测、太阳能电池和光电子器件等领域。
砷化镓晶圆相比传统硅材料，在高速、高频及高功率应用中表现更佳，适用于制造HEMT、MESFET、pHEMT、LED、激光器、红外探测器以及高效率太阳能电池等器件。其晶格结构稳定，适合外延生长各类III-V族复合材料。
苏州科跃材料科技有限公司支持多种尺寸、晶向、掺杂方式的GaAs晶圆定制服务，确保优质晶体结构、极低缺陷密度与高表面光洁度，满足从科研到工业级应用的各类需求。
砷化镓晶圆规格参数
-
尺寸：10×10 mm、15×15 mm、20×20 mm、25×25 mm、直径1″、2″、3″、4″、6″（可定制）
-
厚度：350–650 μm（根据尺寸与工艺定制）
-
晶向：<100>、<110>、<111>
-
表面处理：单面抛光（SSP）、双面抛光（DSP）、带有外延生长表面（Epi-ready）
-
掺杂类型：无掺杂、碳（C）、锌（Zn）（P型），硅（Si）、硒（Se）、锡（Sn）（N型）
-
导电类型：N型、P型
-
电阻率范围：0.001–10⁴ Ω·cm（可选）
砷化镓晶圆物理特性
-
化学式：GaAs
-
晶体结构：锌矿结构（Zinc Blende）
-
晶格常数：a = 5.653 Å
-
禁带宽度：1.42 eV（300 K，直接带隙）
-
电子迁移率：~8,500 cm²/V·s（300 K）
-
热导率：46 W/m·K
-
熔点：1238°C
-
密度：5.32 g/cm³
-
折射率：~3.3（@λ=1 μm）
评价
目前还没有评价