硅晶圆

精密硅晶圆供应商：苏州科跃材料科技有限公司

苏州科跃材料科技有限公司提供高品质硅（Si）晶圆，是现代半导体制造的核心材料。硅晶圆具有优异的电学性能、高热导率和良好的机械强度，被广泛应用于集成电路（IC）、微机电系统（MEMS）和功率电子器件中。

产品可提供多种直径、厚度及掺杂类型（N型或P型），适用于微处理器、光伏电池、传感器等多种应用领域。其超平整、低缺陷的表面有助于实现高质量的薄膜沉积和精密器件制造。

苏州科跃材料科技有限公司支持硅晶圆的定制服务，满足半导体科研、工业量产及先进技术开发的严格要求。

硅晶圆技术参数

• 等级：Prime（主片）、Test（测试片）、Dummy（虚拟片）

• 尺寸：10×10 mm、15×15 mm、20×15 mm、20×20 mm（支持定制）
  圆片直径：1″、2″、3″、4″、5″、6″、8″、12″

• 厚度：0.3–0.5 mm、1.0 mm

• 表面处理：单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP）

• 晶向：<100>、<110>、<111>

• 晶向偏差：±0.5°

• 倒角边角度：2°（可定制为1°）

硅晶圆物理性能

• 材料：硅（Silicon）

• 生长方式：区熔法（CZ）、磁控区熔法（MCZ）、浮区法（FZ）

• 晶体结构：M3

• 熔点：1420°C

• 密度：2.4 g/cm³

• 掺杂类型：无掺杂、硼（B）掺杂、磷（P）掺杂

• 导电类型：P/N型、P型、N型

• 电阻率：>1000 Ω·cm、10⁻³–40 Ω·cm、0.05–0.1 Ω·cm

• 热膨胀系数：≤100/cm²

锑化镓晶圆（GaSb）

苏州科跃材料科技有限公司还供应锑化镓（GaSb）晶圆，广泛应用于红外器件、光电子器件以及半导体科研，性能卓越。我们可根据您的具体需求提供定制化解决方案，欢迎联系我们咨询。